开漏

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开漏（open drain）和开集（open collector）
在
[url=http://www.mcukf.com/article/cxzry/2006/javascript:;]电路[/url]
设计
时我们常常遇到开漏（open drain）和开集（open collector）的概念。
所谓开漏
电路
概念中提到的“漏”就是指MOS FET的漏极。同理，开集
电路
中的“集”就是指三极管的集电极。开漏
电路
就是指以MOS FET的漏极为输出的
电路
。一般的用法是会在漏极外部的
电路
添加上拉电阻。完整的开漏
电路
应该由开漏器件和开漏上拉电阻组成。如图1所示：   
　　

组成开漏形式的
电路
有以下几个特点：
1. 利用外部
电路
的驱动能力，减少IC内部的驱动。当IC内部MOSFET导通时，驱动电流是从外部的VCC流经R pull-up ，MOSFET到GND。IC内部仅需很下的栅极驱动电流。如图1。
2. 可以将多个开漏输出的Pin，连接到一条线上。形成“与逻辑”关系。如图1，当PIN_A、PIN_B、PIN_C任意一个变低后，开漏线上的逻辑就为0了。这也是I2C，SMBus等总线判断总线占用状态的原理。
3. 可以利用改变上拉电源的电压，改变传输电平。如图2, IC的逻辑电平由电源Vcc1决定，而输出高电平则由Vcc2决定。这样我们就可以用低电平逻辑控制输出高电平逻辑了。
4. 开漏Pin不连接外部的上拉电阻，则只能输出低电平。
5. 标准的开漏脚一般只有输出的能力。添加其它的判断
电路
，才能具备双向输入、输出的能力。

应用
中需注意：
1.   开漏和开集的原理类似，在许多
应用
中我们利用开集
电路
代替开漏
电路
。例如，某输入Pin要求由开漏
电路
驱动。则我们常见的驱动方式是利用一个三极管组成开集
电路
来驱动它，即方便又节省成本。如图3。
2.  上拉电阻R pull-up的阻值决定了逻辑电平转换的沿的速度。阻值越大，速度越低功耗越小。反之亦然。



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