SATA与SATA2

sata5753

Serial ATA 1.0的速度为150MB/s
SATA2硬盘传输速度为300MB/S，加入了Native Command Queuing(NCQ)本地指令列队；另增加了Enclosure Management和Port Multiplier连接埠倍增器；可升级到SAS等。
三星 HD080HJ
参考价格：499元
点评：三星HD080HJ容量为80G，转速7200转，8M大容量缓存，SATA2接口，平均寻道时间8.9毫秒，支持NCQ技术，采用了三星独有的NoiseGuard和SilentSeek技术，可以使其硬盘在运行时更为安静。其内置了Marvell的88i6525芯片系统，三星这款产品也是第一款除NCQ技术外，还支持3.0Gbps I/O数据传输的产品。而且还享有长达三年的保修服务。
日立Deskstar 7K80系列
参考价格：529元
点评：目前由迅宜代理的该款日立Deskstar 7K80系列 80GB SATA2硬盘缓存为8MB，内部数据传输率为757Mb/s，平均寻道时间为8.8ms，持续数据传输率为61.1MB/s(Max)。非工作状态可承受冲击力为350G。质保方面均为盒装3年质保，同时可享受讯宜提供的“安全存储方案”，赠送218元的PC-cillin 2005网络安全版防毒软件。
WD（西部数据） 1600JS
参考价格：724元
点评：这是西数8M缓存160G容量的SATA2硬盘。型号为WD1600JS，JS结尾代表着全新的7200转，SATA2接口，8M缓存。JS系列的出现，解决了西数JD系列以PATA-SATA桥接而非原生方式来实现SATA转换过程的存在性能有所降低问题。1600JS的平均读取搜寻时间8.9ms，平均潜伏时间为4.20 ms，非工作状态可承受冲击力为350G。享受三年质保。
希捷7200.7 SATA NCQ系列
参考价格：740元（160GB）
点评：希捷的Barracuda 7200.7 SATA NCQ系列，为原生SATA硬盘，其中别融入了对NCQ技术的全面支持。7200.7 NCQ的工作噪音也得到了有效的控制。7200.7 SATA NCQ的集成度要比7200.7 SATA高，只需要3块芯片就能完成全部的控制工作。盒装正品硬盘享受3-5年质保(希捷5年质保硬盘由当地经销商为依据)。
DDR2 SDRAM
DDR2的定义：
DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。
此外，由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式，而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-II封装形式，FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。回想起DDR的发展历程，从第一代应用到个人电脑的DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术，第一代DDR的发展也走到了技术的极限，已经很难通过常规办法提高内存的工作速度；随着Intel最新处理器技术的发展，前端总线对内存带宽的要求是越来越高，拥有更高更稳定运行频率的DDR2内存将是大势所趋。
DDR2与DDR的区别：
在了解DDR2内存诸多新技术前，先让我们看一组DDR和DDR2技术对比的数据。
1、延迟问题：
从上表可以看出，在同等核心频率下，DDR2的实际工作频率是DDR的两倍。这得益于DDR2内存拥有两倍于标准DDR内存的4BIT预读取能力。换句话说，虽然DDR2和DDR一样，都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2拥有两倍于DDR的预读取系统命令数据的能力。也就是说，在同样100MHz的工作频率下，DDR的实际频率为200MHz，而DDR2则可以达到400MHz。
这样也就出现了另一个问题：在同等工作频率的DDR和DDR2内存中，后者的内存延时要慢于前者。举例来说，DDR 200和DDR2-400具有相同的延迟，而后者具有高一倍的带宽。实际上，DDR2-400和DDR 400具有相同的带宽，它们都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作频率是200MHz，而DDR2-400的核心工作频率是100MHz，也就是说DDR2-400的延迟要高于DDR400。
2、封装和发热量：
DDR2内存技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR的传输能力，而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下，DDR2可以获得更快的频率提升，突破标准DDR的400MHZ限制。
DDR内存通常采用TSOP芯片封装形式，这种封装形式可以很好的工作在200MHz上，当频率更高时，它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容，这会影响它的稳定性和频率提升的难度。这也就是DDR的核心频率很难突破275MHZ的原因。而DDR2内存均采用FBGA封装形式。不同于目前广泛应用的TSOP封装形式，FBGA封装提供了更好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。
DDR2内存采用1.8V电压，相对于DDR标准的2.5V，降低了不少，从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量，这一点的变化是意义重大的。
DDR2采用的新技术：
除了以上所说的区别外，DDR2还引入了三项新的技术，它们是OCD、ODT和Post CAS。
OCD（Off-Chip Driver）：也就是所谓的离线驱动调整，DDR II通过OCD可以提高信号的完整性。DDR II通过调整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的电阻值使两者电压相等。使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性；通过控制电压来提高信号品质。
ODT：ODT是内建核心的终结电阻器。我们知道使用DDR SDRAM的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本。实际上，不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的，终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率，终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低；终结电阻高，则数据线的信噪比高，但是信号反射也会增加。因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组，还会在一定程度上影响信号品质。DDR2可以根据自已的特点内建合适的终结电阻，这样可以保证最佳的信号波形。使用DDR2不但可以降低主板成本，还得到了最佳的信号品质，这是DDR不能比拟的。
Post CAS：它是为了提高DDR II内存的利用效率而设定的。在Post CAS操作中，CAS信号（读写/命令）能够被插到RAS信号后面的一个时钟周期，CAS命令可以在附加延迟（Additive Latency）后面保持有效。原来的tRCD（RAS到CAS和延迟）被AL（Additive Latency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中进行设置。由于CAS信号放在了RAS信号后面一个时钟周期，因此ACT和CAS信号永远也不会产生碰撞冲突。
总的来说，DDR2采用了诸多的新技术，改善了DDR的诸多不足，虽然它目前有成本高、延迟慢能诸多不足，但相信随着技术的不断提高和完善，这些问题终将得到解决


本文来自ChinaUnix博客，如果查看原文请点：http://blog.chinaunix.net/u2/69856/showart_705784.html