未来硬盘存储密度达到分子级别

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　　美国威斯康星州madison大学以及日立全球存储公司(HGST，Hitachi global storage Technology)研发出最新一代适用于硬盘磁碟存储的技术，这种技术将能够突破当前传统磁碟存储在介质和制程方面的密度障碍，实现更新突破。

　　

(图) 未来硬盘存储密度达到分子级别

　　对于采用传统磁记录存储技术的硬盘产业来说，回首过去的35年间，其未来发展方向似乎永远无法预知，但是科学工作者们总能找到满足更大存储密度，更廉价存储成本的解决方案。

　　10年以前，希捷确信通过光磁记录技术，可以实现每平方英寸100G bits的存储密度极限，达成250G bits新标准，主要方法是用更精确的热磁激光定位磁记录表面，使得磁碟在更小单位面积内实现更大存储容量，这也就是当今硬盘的成长成功案例。

　　而当前热门的磁碟硬盘主导技术则是垂直记录存储技术(perpendicular MAGnetic recording，PMR)，当前250G bits每平方英寸的磁碟存储方式已经非常普遍，部分硬盘的存储密度已经提升到330G bits每平方英寸。

　　当前来看，除了垂直记录存储之外，热磁记录技术仍然没有很落后，希捷曾表示热磁记录技术(HAMR，heat asSISted magnetic recording)可以实现每平方英寸50T bits的存储密度，这意味着在一张只有一美元纸钞一半大小(30.61平方毫米)的磁碟盘片上，可以存储350万张高分辨率照片，或者2800首CD音质歌曲，或者1600小时电影节目。

　　但是就目前而言，当前对于热磁记录存储密度所能达到的期望值，以当前介质和工艺水准还无法达到，我们仍然需要在当前可搜寻存储介质和制作工艺水准上下功夫。日立联合美国威斯康星州madison大学研究结果显示，最新一代的存储制程技术有些类似于融合传统平板印刷到一种带有特殊自聚合特性材料的微电子样板当中，这种具有特殊自聚合特性的材料叫做化学中的一种共聚物块状材质。

　　科研人员表示，当加入这种聚合物到平板印刷状样板表面的时候，这种化学物质的长分子链就会按照指定的形态聚合，由于这种平面基板完全是基于分子级别的，就以此形成目前传统磁碟技术完全无法达到的排列密度，这种可控制的聚合排列技术甚至可以纠正化学平面基板当中原先不规则排列的分子结构，并重新按照事先划定好的排列顺序重组。

　　也就是说，在理论上借助这项技术可以实现规则排列组合状态下存储密度超高的数据信息，也就是实现了存储技术的再次突破。

　　项目总监Paul Nealey表示，通过特定编排属性特征排序解码，即可获得分子级别的存储空间和尺寸特征数据，因此借助传统材料即可实现化学热性反应驱动力，促使存储介质结构趋于统一，达成更高存储密度目的。

　　仅需块状共聚物很少量，大约传统材料四分之一即可达到传统记录方式所需分子结构要求，因此新技术在成本方面也更容易控制;

　　至于这项技术究竟需要怎么样的一个成本支出水准，或者说我们什么时候才能看到这样的硬盘出炉，这还没有办法确定，至少我们要回首到1998年，重新审视这项新又不新的技术。

　　但是这项技术什么时候能够真正商业化，显然不是科学家的实验室产物所能回答的，我们需要真正的商业化产品，但研究人员给出的答案暂时还是我们在不久将来就能够看到，一个模棱两可的结果。

　　因此，在还没有推出更为实际有效的新技术之前，硬盘厂商还是会继续采用现有技术进行技术或者制程方面的升级，而暂时不会借用没有办法确定的新技术来冒险。