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0x00000000 中断向量表 start_code
ram启动 bl cpu_init_crit
不在SDRAM，就在FLASH，那么直接跳到stack_setup we load ourself to 33F8'0000 # download area is 3300'0000 TEXT_BASE = 0x33F80000 /***************** CHECK_CODE_POSITION ******************************************/ adr r0, _start /* r0 <- current position of code */ ldr r1, _TEXT_BASE /* test if we run from flash or RAM */ cmp r0, r1 /* don't reloc during debug */ beq stack_setup /***************** CHECK_CODE_POSITION ******************************************/
不是NANDFLASH，就意味着是NORFLASH，那么就把所有代码拷贝到SDRAM，即跳到relocate 如果是NANDFLASH的话，那么就是NANDFLASH的初始化，然后也把所有代码拷贝到SDRAM /***************** CHECK_BOOT_FLASH ******************************************/ ldr r1, =( (4<<28)|(3<<4)|(3<<2) ) /* address of Internal SRAM 0x4000003C*/ mov r0, #0 /* r0 = 0 */ str r0, [r1]
mov r1, #0x3c /* address of men 0x0000003C*/ ldr r0, [r1] cmp r0, #0 bne relocate
/* recovery */ ldr r0, =(0xdeadbeef) ldr r1, =( (4<<28)|(3<<4)|(3<<2) ) str r0, [r1] /***************** CHECK_BOOT_FLASH ******************************************/
32 `31 30 29 28 27 26 25 24 `23 22 21 20 19 18 17 16 `15 14 13 12 11 10 9 8 `7 6 5 4 3 2 1 0 28 `27 26 25 24 23 22 21 20 `19 18 17 16 15 14 13 12 ` - - - - 11 10 9 8 `7 6 5 4 3 2 1 0 !!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!@@@@@@@@@@@@@@@@@ ############################ 28～18 哪一块 17～12 哪一页 11～0 页内
1device=2048块=131072页 1block =64页 1页 =2K+64B=2K(main)+64B(spare) 每一页中又分为main区和spare区，main区用于正常数据的存储，spare区用于存储一些附加信息，如块好坏的标记、块的逻辑地址、页内数据的ECC校验和等 1000页=64×15+40页=960+40页 1989页=64×31+ 5页=1984+5页
以page（页）为单位进行读写， NF_ADDR(0x00); //列地址A0~A7 NF_ADDR(0x00); //列地址A8~A11 NF_ADDR((page_number) & 0xff); //行地址A12~A19 NF_ADDR((page_number >> 8) & 0xff); //行地址A20~A27 NF_ADDR((page_number >> 16) & 0xff); //行地址A28
以block（块）为单位进行擦除 //写入3个地址周期，从A18开始写起 NF_ADDR((block_number << 6) & 0xff); //行地址A18~A19 NF_ADDR((block_number >> 2) & 0xff); //行地址A20~A27 NF_ADDR((block_number >> 10) & 0xff); //行地址A28
Nand
没有地址线，只有8根数据线和控制信号线
在控制信号的作用下，地址线借用数据线
控制信号线直接接到CPU相应引脚上，控制信号线的状态由cpu的NAND寄存器设置
操作方式：Nand内自己编址，
以字节为单位：256M=268435456b
以页为单位256M=131072页
以块为单位256M=2048块
硬件上对Nand访问，
一，发命令，CLE，DATA BUS
二，给地址，ALE，DATABUS
三，传输数据，R/W，DATABUS
2440对NAND的访问：即对这四个寄存器的操作 1， NFCMND 2， NFADDR 3， NFDADA 4， NFSTAT
读状态命令可以实现读取设备内的状态寄存器，通过该命令可以获知写操作或擦除操作是否完成 （判断第6位），以及是否成功完成（判断第0位）  
由2440datasheet图知： TACLS：表示CLT/ALE的建立时间，CLE/ALE有效到nWE有效的时间 TWRPH0：表示WE为低电平的时间 TWRPH1：表示CLE/ALE的维持时间，nWE有效到CLE/ALE无效的时间
再看K9F2G08B的datasheet可知：  
TACLS就相当于tCLS参数-tWP，=0ns TWRPH0就相当于tWP，=21ns 而TWRPH1就相当于tCLH,=5ns 取最小值：tCLS=21ns tCLH=5ns tWP=21ns 假设HCLK=100MHZ=10ns，则 TACLS=HCLK*TACLS >0ns ->TACLS=1 TWRPH0=HCLK*(TWRPH0+1) >21ns ->TWRPH0=3 TWRPH1=HCLK*(TWRPH1+1) >5ns ->TWRPH1=0 | 
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发表于 2011-02-23 22:42