NAND flash的写操作问题

arm_zwinger

以前写过vxworks下nor flash的驱动，对于写操作，我当时实现的大致过程是：
1、先读数据出来从要写入的区域。
2、将读入的数据跟要写入的数据进行对比，看是否需要擦除动作。（每个bit只能从1变化到0，所以不能保证直接写入是正确的，除非原有数据都是0xff）
3、如果需要擦除，就先构造好要写入的数据，然后擦除。
4、将构造好的要写入的数据写入。

现在在学习linux下的nand flash驱动，粗看了下nand_write_page（）函数，没发现先读出来再擦除再写入的过程。。。

问题：
1、linux下的写操作也应当是类似的过程啊？难道不是这样？
2、如果有类似的过程，那是在哪里实现的？MTD？

请帮我指出来一下代码大概位置吧，多谢！

arm_zwinger

这里肯定有看过这部分实现的大侠，盼大侠出现！

ToFindMyPuff

据我所知，Nor Flash和Nand Flash操作肯定是不一样的。需要从二者的本质入手考虑。

ToFindMyPuff

NorFlash的写和擦除操作灰常慢，所以一般会读出数据确认是否要修改，如果需要的话再改。而NandFlash的读写速度很快，所以没必要进行这一步。
以上是我的理解，不知是否正确，仅做参考。

crifan

依稀记得好像是：
nand_write_page 指的是写入page的数据。
关于此page是否需要先擦除再写入，此处不需要考虑，因为此处既然调用到此函数了，就已经确保此（block中的该）page是可以被直接写入的。
因为擦除的动作，是erase block相关的函数去一次性擦除整个block的，而不是一个page一个page的擦除的。
对于哪些block需要被擦除，则是有对应的垃圾回收机制去决定的。
具体相关的垃圾回收，负载平衡等工作，都是由上层文件系统，比如yaffs2去做的，去决定用何种策略的。

总之，底层的nand_write_page只关心直接写入对应page的数据，因为该page已经是可以直接拿来写入数据的。
更多的其他的事情，都是上层需要考虑的。

如果上述理解有误，还请路过的指正。

crifan

具体代码位置，那去看mtd层，是如何一点点调用到该函数的。
再往上的逻辑，就需要找具体的文件系统，比如yaffs2，好好研究其代码，找到上层代码是如何调用到MTD的。

arm_zwinger

回复 6# crifan


嗯，这样看来，应当是上层做的处理，底层就是很单纯的操作了。

文件系统还是MTD，这个得再看了。。。

多谢大侠！