nand flash 前4k
nand flash控制器 S3C2410板的nand flash支持由两部分组成:nand flash控制器(集成在S3C2410 CPU)和nand flash存储芯片(K9F1208U0B)两部分组成。当要访问nand flash中的数据时,必须通过nand flash控制器发送命令才能完成。所以nand flash相当于S3C2410的一个外设,而不位于它的内存地址区. 为了支持nand flash的启动装载，S3C2410A配置了一个叫Steppingstone的内部SRAM缓冲器。当系统启动时，nand flash存储器的前4kB将被自动...
by langzi2 - BSD文档中心 - 2011-01-24 14:57:39 阅读（5140） 回复（1）
我的板子上使用的是SAMSUNG的K9F1208U0B，下面我将对此型号的nandflash读取操作做一个讲解。 首先我们先从物理结构上来了解这颗芯片，结构图如下所示 正如硬盘的盘片被分为磁道，每个磁道又被分为若干扇区，一块nand flash被分为若干Block,每个Block又被分为若干Page。由上图我们可以知道flash中 Byte(字节)，Page(页),Block（块）3个单位之间的关系为 : 1 Page =512 Bytes Data Field+ 16 Bytes Spare Field 1 Blcok=32 Pages...
近来，Nor flash的价格居高不下，所以相对来说利用nand flash来存放代码和数据并执行boot code，利用SDRAM来运行用户的主程序成为一种比较经济适用的选择。本文对三星公司的S3C2440的启动位置进行了简要的总结。 1、Not Using nand flash for Boot OM[1:0]=01,10 在这种情况下，boot code被放在Nor flash空间，上电复位的时候，pc指向Norflash空间，开始执行boot程序，然后跳转到存放用户主程序的nand flash空间取指。 三星2440内部...
nand flash ECC 算法 ECC简介 由于nand flash的工艺不能保证nand的Memory Array在其生命周期中保持性能的可靠，因此，在nand的生产中及使用过程中会产生坏块。为了检测数据的可靠性，在应用nand flash的系统中一般都会采用一定的坏区管理策略，而管理坏区...
原文地址： http://www.51c51.net/article/2008/0720/article_5368.html 摘要:nand flash以其优越的特性和更高的性价比,在现代数码产品中得到了广泛的应用。在片上系统芯片中集成nand flash控制器成为一种趋势。本文提出了在一款基于ARM7TDMI CPU CORE的片上系统( SoC)芯片中的nand flash控制器实现方案。通过直接内存存取(DMA)的数据传输方式,使nand flash的数据传输速率得到了一定提高,满足了实际应用的设计要求。该设计方法已通...
2410支持从nand flash启动。通过将flash中最开始的4k代码拷贝到，2410片内的一块不用初始化的sram中运行，该拷贝过程完全由硬件支持，无需软件操作。 nand flash控制器有一个特殊的功能,在S3C2410上电后,nand flash控制器会自动的把nand flash上的前4k数据搬移到4k内部RAM中,并把0x00000000设置内部RAM的起始地址,CPU从内部RAM的0x00000000位置开 始启动。这个过程不需要程序干涉。程序员需要完成的工作,�前炎詈诵牡钠舳�...
nand flash nand vs. NOR Beside the different silicon cell design, the most important difference between nand and NOR flash is the bus interface. NOR flash is connected to a address / data bus direct like other memory devices as SRAM etc. nand flash uses a multiplexed I/O Interface with some additional control pins. nand flash is a sequential access device appropriate for mass storage applications...
nand flash 读写寻址方式 nand flash的寻址方式和nand flash的memory组织方式紧密相关。nand flash的数据是以bit的方式保存在memory cell，一般来说，一个cell中只能存储一个bit。这些cell以8个或者16个为单位，连成bit line，形成所谓的byte(x8)/word(x16)，这就是nand Device的位宽。 这些Line会再组成Page，通常是528Byte/page或者264Word/page。然后，每32个page形成一个Block，Sizeof(block)=16kByte. Block是NA...
NOR和nand是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了nand flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和nand闪存。 相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚nand闪存...
NOR和nand是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了nand flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和nand闪存。 相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚nand闪...
NOR和nand是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着,1989年,东芝公司发表了nand flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后,仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR 和nand闪存。 相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚nand闪存技术相...
