nand read
#!/bin/sh sleep 3 echo "input a:" read a if [ "$a" == y ]; then echo $a else echo no fi 问题: 如果在shell sleep 的过程敲很多次回车 例如3次 现象为 [root@localhost]#./filename input a: no [root@localhost]# [root@localhost]# [root@localhost]# _ 也就是说shell记住了你敲的这3次回车 怎么能达到这种效果: 不管敲几次回车 只捕捉input a: 出现后的那一次输入 [root@localhost]#./filename i...
nand Flash控制器 S3C2410板的nand Flash支持由两部分组成:nand Flash控制器(集成在S3C2410 CPU)和nand Flash存储芯片(K9F1208U0B)两部分组成。当要访问nand Flash中的数据时,必须通过nand Flash控制器发送命令才能完成。所以nand Flash相当于S3C2410的一个外设,而不位于它的内存地址区. 为了支持nand Flash的启动装载，S3C2410A配置了一个叫Steppingstone的内部SRAM缓冲器。当系统启动时，nand Flash存储器的前4KB将被自动...
我的板子上使用的是SAMSUNG的K9F1208U0B，下面我将对此型号的nandFlash读取操作做一个讲解。 首先我们先从物理结构上来了解这颗芯片，结构图如下所示 正如硬盘的盘片被分为磁道，每个磁道又被分为若干扇区，一块nand Flash被分为若干Block,每个Block又被分为若干Page。由上图我们可以知道flash中 Byte(字节)，Page(页),Block（块）3个单位之间的关系为 : 1 Page =512 Bytes Data Field+ 16 Bytes Spare Field 1 Blcok=32 Pages...
近来，Nor Flash的价格居高不下，所以相对来说利用nand Flash来存放代码和数据并执行boot code，利用SDRAM来运行用户的主程序成为一种比较经济适用的选择。本文对三星公司的S3C2440的启动位置进行了简要的总结。 1、Not Using nand Flash for Boot OM[1:0]=01,10 在这种情况下，boot code被放在Nor Flash空间，上电复位的时候，pc指向NorFlash空间，开始执行boot程序，然后跳转到存放用户主程序的nand Flash空间取指。 三星2440内部...
nand flash ECC 算法 ECC简介 由于nand Flash的工艺不能保证nand的Memory Array在其生命周期中保持性能的可靠，因此，在nand的生产中及使用过程中会产生坏块。为了检测数据的可靠性，在应用nand Flash的系统中一般都会采用一定的坏区管理策略，而管理坏区...
原文地址： http://www.51c51.net/article/2008/0720/article_5368.html 摘要:nand Flash以其优越的特性和更高的性价比,在现代数码产品中得到了广泛的应用。在片上系统芯片中集成nand Flash控制器成为一种趋势。本文提出了在一款基于ARM7TDMI CPU CORE的片上系统( SoC)芯片中的nand Flash控制器实现方案。通过直接内存存取(DMA)的数据传输方式,使nand Flash的数据传输速率得到了一定提高,满足了实际应用的设计要求。该设计方法已通...
2410支持从nand flash启动。通过将flash中最开始的4k代码拷贝到，2410片内的一块不用初始化的sram中运行，该拷贝过程完全由硬件支持，无需软件操作。 nand Flash控制器有一个特殊的功能,在S3C2410上电后,nand Flash控制器会自动的把nand Flash上的前4K数据搬移到4K内部RAM中,并把0x00000000设置内部RAM的起始地址,CPU从内部RAM的0x00000000位置开 始启动。这个过程不需要程序干涉。程序员需要完成的工作,是把最核心的启动...
MLC型nand闪存颗粒 采用多层单元技术，以日系厂商东芝、瑞萨为代表，主要采用0.13微米的制造工艺。 MLC闪存芯片价格更有竞争力，但读写速度较慢、能耗也比较高、使用寿命较短，比SLC要多15%左右的电流消耗。 SLC型单层单元颗粒 由韩系厂商三星、现代推出，主要采用0.9微米制造工艺，在性能和稳定性上更胜一筹，在能耗上要低于MLC，更可以保证10倍左右的使用寿命。 但也有价格较高、难以提升容量等缺点。 ...
目前,Flash 主要有:nand(与非) 和NOR(异或) 两种类型。 任何Flash 的写操作对象只能是空或已擦除的存储单元,大多数情况下,在写操作之前要进行擦除操作,由于NOR 和nand 具有的属性不同, nand 的擦除操作非常简单, 而NOR 进行擦除操作前要先将目标块内的所有位单元 清0。 NOR 与nand 各存优势,nand 的读写操作以 块、页为单位,它在读和擦除文件时,特别是连续的大 文件,与NOR 相比速度相当快,但nand 的不足在于 随机存取速度较慢且没...
