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回复 #4 zhlyp 的帖子
是的，mtd为了兼容X16和X8，干脆直接判断坏块位置开始的（2K页是oob的byte0位置）的两个字节。
实际上，如果只是针对X8的nand flash，是只需要判断一个字节的：
512B的页是oob开始的第六个字节，2K/4K。。。的页是oob开始的第一个字节
因为，nand flash出厂的时候，如果是坏块，其标记，也只是1个字节，标成非0xFF，说明是坏块。
此处多说一句，最近刚了解到的信息：
对于坏块标记的位置的问题，对于2K页的nand flash，标记位置都是页内oob开始处，都是非0xFF表示坏块，
但是，对于是第几页，不同nand flash就有不同的规定了：
有些nand flash，是标记在坏块的第一个页（或者是第二个页，这点是考虑到，万一第一个页是坏的，所以才做此规定的。一般都是在第一个页处做标记），比如三星的多数SLC，Hynix等
另一些，是在一个块内的最后一页或倒数第二页做此标记，比如samsung MLC , Numonyx等
所以，真正比较完整的检查坏块的做法，至少要检测块内第一，第二，倒数第一，倒数第二页，是否是0xFF，才能比较全名的判断是否是坏块的。
有空再更新上面的文档，把新东西加进去。 |
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发表于 2009-07-23 21:28
