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[color="#000000"]学ARM之路，任重道远-------
[color="#000000"]
[color="#000000"]前言：在此，我将记录我学习ARM道路上的点点滴滴，记录在ARM学习的道路走过的每一个脚印，希望每一次的进步都能鼓舞我坚持学下去，同时也希望能借助这个平台与各位同道中人共同交流，分享在学习中的快乐。
[color="#000000"]
我选择学习的平台是基于三星的S3C2410芯片的平台，之所以选择这个有两个原因：第一、之前自学过三星的ARM7系列的S3C44B0的芯片应用（学
的很一般，基本也就算是对ARM的入门而已，呵呵），对三星的芯片比较了解，虽然这两个芯片的平台不同，一个是ARM7，一个是ARM9，但是它们的引脚
功能等有很多共同点，这点对我学习S3C2410帮助很大；第二、在基于S3C2410的ARM9平台上具有MMU（内存管理），可以运行Linux、
WinCE操作系统，而S3C44B0的ARM7平台只能运行类似uCLinux之类的操作系统。本人倾向于学能运行Linux、WinCE操作系统的
ARM9，所以就锁定学S3C2410了。对于像我这样刚刚开始学习ARM的人来说，感觉应该买块开发板回来自己慢慢弄，这样进步得比较快。不然只看理论
的没有实践，显得空洞并且枯燥。本人目前还没有开发板，不过这段时间正琢磨着买一块回来弄弄。在开发板没买到之前，还是先学学S3C2410芯片的一些功
能应用吧。嘿嘿，对学习芯片之类的，个人认为如果想系统的理解芯片功能应用及主要点还是看原版的英文芯片手册比较好，翻译过来的有很多不准确并且漏了很多
知识，最起码看英文原版的还能锻炼一下自己的英语阅读水平，哈哈。好了，费话少说了，开始今天的学习。
S3C2410A的特点
[color="#000000"]1.体系结构
- [color="#000000"]为手持设备和通用嵌入式应用提供片上集成系统解决方案
- 采用ARM920T
CPU内核，具有16/32位RISC体系结构和强大的指令集 - 增强的ARM体系结构MMU，支持WinCE、EPOC 32和Linux
- 指令Cache、数据Cache、写缓冲器和物理地址TAG
RAM的使用降低了主存带宽和延时对性能的影响 - ARM920T CPU内核支持ARM测试体系结构
内部采用先进的微控制总线体系结构（AMBA）（AMBA2.0，AHB/APB）
2.系统管理器
- 支持小/大端方式
- 寻址空间：每bank 128MB(总共1GB)
- 每个bank支持可编程的8/16/32位数据总线带宽
- bank0~bank6都采用固定的bank起始地址
- bank7具有可编程的bank起始地址和大小
- 8个存储器bank：
--6个用于ROM、SRAM及其他
--2个用于ROM、SRAM和同步SDRAM
- [color="#000000"]所有存储器bank的访问周期都是可编程的
支持使用外部等待信号来填充总线周期
支持掉电时的SDRAM自刷新模式
支持各种类型的ROM启动，包括NOR/NAND Flash和EEPROM
3.NAND Flash启动装载器
- 支持从NAND Flash存储器的启动
- 采用4KB内部缓冲器用于启动引导
- 支持启动之后NAND存储器仍然作为外部存储器使用
4.Cache存储器
16KB的I-Cache（指令高速存储缓冲器）和16KB的D-Cache（数据高速存储缓冲器）为64路组相联Cache- 每行8字长度，其中每行带一个有效位和两个脏位
- 采用伪随机数和轮转替换算法
- 采用写直达或写回Cache操作来更新主存储器
- 写缓冲器可以保存16个字的数据值和4个地址值
5.时钟和电源管理
--UPLL产生操作USB主机/设备的时钟
--MPLL产生操作MCU的时钟，在2.0V内核电压下时钟频率最高可达266MHz
- 通过软件可以有选择地为每个功能模块提供时钟
- 电源模式包括正常、慢速、空闲和掉电模式：
--正常模式
正常运行模式
--慢速模式
不加PLL的低时钟频率模式
--空闲模式 只停止CPU的时钟
--掉电模式
所以外设和内核的电源都切断了
- 可以通过EINT[15：0]或RTC报警中断从掉电模式中唤醒处理器
6.中断控制器
55个中断源（1个看门狗定时器、5个定时器、9个UART、24个外部中断、4个DMA、2个RTC、2个ADC、1个I2C、2个SPI、1个SDI、2个USB、1个LCD和1个电池故障）- 电平/边沿触发模式的外部中断源
- 可编程的电平/边沿触发极性
- 支持为紧急中断请求提供快速中断服务（FIQ）
7.具有脉冲带宽调制（PWM）的定时器
4通道16位具有PWM功能的定时器，1通道16位可基于DMA或中断工作的内部定时器- 可编程的占空比周期、频率和极性
- 能产生死区
- 支持外部时钟源
8.RTC（实时时钟）
- 完整的时钟特性：秒、分、时、日期、星期、月和年
- 32.768kHz工作频率
- 具有报警中断
- 具有时钟滴答中断
9.通用I/O口
10.UART
- 3通道UART，可以基于DMA模式或中断模式工作
- 支持5、6、7、或者8位串行数据发送/接收（Tx/Rx）
- 支持外部时钟作为UART的运行时钟（UEXTCLK）
- 可编程的波特率
- 支持IrDA1.0
- 支持回环（Loopback）测试模式
- 每个通道都具有内部16字节的发送FIFO和16位字节的接收FIFO
11.DMA控制器
- 4通道的DMA控制器
支持存储器到存储器、I/O到存储器、存储器到I/O和I/O到I/O的传送- 采用突发传送模式来加快传送速率
12.A/D转换和触摸屏接口
- 8通道多路复用ADC
- 转换速率最大为500KSPS（Kilo Samples Per
Second，千采样点每秒），10位分辨率
13.LCD控制器STN LCD显示特性
- 支持3种类型的STN
LCD显示屏：4位双扫描、4位单扫描和8位单扫描显示类型 - STN LCD支持单色模式、4级灰度、16级灰度、256色和4096色
支持多种屏幕尺寸，典型的屏幕尺寸有：640*480，320*240，160*160- 最大虚拟屏幕大小是4KB
256色模式下支持的最大虚拟屏幕尺寸是：4096*1024，2048*2048，1024*4096
14.TFT（Thin Film Transistor,薄膜场效应晶体管）彩色显示特性
- 彩色TFT支持1、2、4或8 bpp(bit per
pixel,每像素所占位数)调色显示 - 支持16 bpp无调色真彩显示
- 在24 bpp模式下支持最大16M色TFT
支持多种屏幕尺寸，典型的屏幕尺寸有：640*480，320*240，160*160- 最大虚拟屏幕大小是4KB
- 64色模式下支持的最大虚拟屏幕尺寸是：2048*1024
15.看门狗定时器
- 16位看门狗定时器
- 定时器溢出时发生中断请求或系统复位
16.I2C总线接口
- 1通道多主机I2C总线
串行、8位、双向数据传送，在标准模式下数据传送速率可达100kb/s，在快速模式可达400kb/s
17.I2S总线接口
- 1通道音频I2S总线接口，可基于DMA方式工作
- 串行，每通道8/16位数据传输
- 发送和接收具备128字节（64字节发送FIFO+64字节接收FIFO）FIFO
- 支持I2S格式和MSB-justified数据格式
18.USB主设备
- 2个USB主设备接口
- 遵从OHCI Rev1.0标准
- 兼容USB Ver1.1标准
19.SUB从设备
- 1个USB从设备接口
- 具备5个端口（Endpoint,指USB的传输通道）
- 兼容USB Ver1.1标准
20.SD主机接口
- 兼容SD存储卡协议1.0版
- 兼容SDIO卡协议1.0版
- 发送和接收采用字节FIFO
- 基于DMA或中断模式工作
- 兼容MMC卡协议2.11版
21.SPI接口
- 兼容2通道SPI协议2.11版
- 发送和接收采用2字节的移位寄存器
- 基于DMA或中断模式工作
22.工作电压
- 内核：1.8V，最高工作频率200MHz(S3C2410A-20)
2.0V, 最高工作频率266MHz(S3C2410A-26)
23.封装
存储器、NAND Flash控制器，时钟和电源管理
[color="#cc3333"]------存储器控制器------
- 支持小端/大端（通过软件选择）
- 寻址空间：每个bank有128MB(总共有8个bank,共1GB)
除bank0(只能是16/32位宽)之外，其他bank都具有可编程的访问大小（可以是8/16/32位宽）- 总共8个存储器bank（bank0~bank7）：
--其中6个用于ROM、SRAM等
--另外2个用于ROM、SRAM、SDRAM等
- 7个固定的存储器bank(bank0~bank6)起始地址
- 最后一个bank(bank7)的起始地址是可调整的
- 最后两个bank（bank6和bank7）的大小是可编程的
- [color="#000000"]所有存储器bank的访问周期都是可编程的
- 总线访问周期可以通过插入外部等待来延长
- 支持SDRAM的自刷新和掉电模式
复位后S3C2410A的存储器映射图如下：
![]()
![]()
bank0（nGCS0）数据总线宽度由OM[1：0]决定：
OM[1：0]= 00 Nand Flash
模式
01 16位
10 32位
11 测试模式
存储器（SROM/SDRAM）地址引脚连接：
1、数据总线为8位时
存储器地址引脚
S3C2410A地址
A0
A0
A1
A1
...
...
2、数据总线为16位时
存储器地址引脚
S3C2410A地址
A0
A1
A1
A2
...
...
3、数据总线为32位时
存储器地址引脚
S3C2410A地址
A0
A2
A1
A3
...
...
相关的寄存器
数据宽度和等待控制寄存器：
BWSON 地址0x48000000
BANK控制寄存器（BANKCONN:nGCS0-nGCS5） :
BANKCON0 地址0x48000004
BANKCON1 地址0x48000008
BANKCON2 地址0x4800000C
BANKCON3 地址0x48000010
BANKCON4 地址0x48000014
BANKCON5 地址0x48000018
BANK控制寄存器（BANKCONN:nGCS6-nGCS7） :
BANKCON6
地址0x4800001C
BANKCON7 地址0x48000020
REFRESH控制寄存器:
REFRESH
地址0x48000024
BANKSIZE寄存器:
BANKSIZE
地址0x48000028
BURST_EN
[7]
ARM核突发操作允许
0--禁止突发操作
1--允许突发操作
Reserved [6]
不使用
SCKE_EN
[5]
SCKE允许控制
0=SDRAM
SCKE 禁止
1=SDRAM SCKE 允许
SCLK_EN
[4]
SCLK仅在减少功耗期间SDRAM存取周期内允许，当SDRAM不进行
存取时，SCLK变'L'电平
0=SCLK总是激活
1=SDRAM仅在存取期间激活（推荐）
Reserved [3]
不使用
BK76MAP [2:0]
BANK6/7存储映射
010=128MB/128MB
001=64MB/64MB
000=32MB/32MB
111=16MB/16MB
110=8MB/8MB
101=4MB/4MB
100=2MB/2MB
SDRAM模式寄存器设置寄存器（MRSR）：
MRSRB6 地址0x4800002C
MRSRB7
地址0x48000030
------NAND
Flash控制器------
为了支持NAND
Flash的启动装载，S3C2410A配置了一个叫Steppingstone的内部SRAM缓冲器。当系统启动时，NAND
Flash存储器的前4KB将被自动加载到Steppingstone中，然后系统自动执行这些载入的启动代码。
一般情况下，这4KB的启动代码需要将NAND
Flash中的内容复制到SDRAM中。使用S3C2410A内部硬件ECC功能可以对NAND
Flash的数据进行有效性的检查。复制完成后，将在SDRAM中执行主程序。
NAND Flash控制其具有以下特性：
- NAND Flash模式：支持读/擦除/编程NAND Flash存储器。
自动启动模式：复位后，启动代码被传送到Steppingstone中。传送完毕后，启动代码在Steppingstone中执行。- 具备硬件ECC（校验码：Error Correction
Code）生成模块（硬件生成校验码，通过软件校验） - NAND
Flash启动以后，4KB的内部SRAM缓冲器Steppingstone可以作为其他用途使用。 - NAND
Flash控制器不能通过DMA访问，可以使用LDM/STM指令来代替DMA操作。
自启动模式的执行步骤如下：
（1）完成复位
（2）如果自动启动模式使能，NAND
Flash存储器的前4KB自动复制到Steppingstone内部缓冲器；
（3）Steppingstone映射到nGCS0；
（4）CPU在Steppingstone的4KB内部缓冲器中开始执行启动代码。
注意：在自动启动模式下，不进行ECC检测。因此，应确保NAND
Flash的前4KB不能有位错误（一般NAND Flash厂家都能确保）。
NAND Flash模式需要进行以下配置：
（1）通过NFCONF寄存器设置NAND Flash配置；
（2）将NAND Flash命令写入NFCONF寄存器；
（3）将NAND Flash地址写入NFADDR寄存器；
（4）通过NFSTAT寄存器检查NAND
Flash状态，并读/写数据。在读操作之前或者编程操作之后应该检查R/nB信号。
引脚配置
D[7：0]
数据/命令/地址的输入/输出口（与数据总线共享）
CLE
命令锁存使能（输出）
ALE 地址锁存使能（输出）
nFCE
NAND Flash片选使能（输出）
nFRE
NAND Flash读使能（输出）
nFWE
NAND Flash写使能（输出）
R/nB
NAND Flash就绪/忙（输入）
系统启动和NAND Flash所需的配置如下：
（1）OM[1：0]=00b：使能NAND Flash控制器为自动启动模式；
（2）NAND Flash存储器的页面大小应该为512字节；
（3）NCON：NAND
Flash存储器寻址步数选择。0为3步；1为4步寻址。
相关寄存器
NAND Flash配置寄存器
NFCONF
地址0x4E000000
NAND Flash命令设置寄存器
NFCMD
地址0x4E000004
NAND Flash地址设置寄存器
NFADDR 地址0x4E000008
NAND Flash数据寄存器
NFDATA 地址0x4E00000C
NAND Flash操作状态寄存器
NFSTAT 地址0x4E000010
NAND Flash ECC寄存器
NFECC 地址0x4E000014
[color="#cc3333"]------时钟和电源管理------
时钟和电源管理模块包括3部分：时钟控制、USB控制和电源控制。
S3C2410A中的时钟控制逻辑能够产生CPU所需的FCLK时钟信号、AHB总线外围设备所需的HCLK时钟信号，以及APB总线外围设备所需的PCLK时钟信号。S3C2410A有两个锁相环（PLL，Phase
Locked
Loops）：一个用于FCLK、HCLK和PCLK，另一个专门用于USB模块（48MHz）。时钟控制逻辑可以在不需要PLL的情况下产生慢速时钟，并且可以通过软件来控制时钟与每个外围模块是连接还是断开，从而降低功耗。
S3C2410A中的电源管理模块可以激活4种模式：正常模式、慢速模式、空闲模式和掉电模式。
（1）正常模式：此模式下，电源管理模块为CPU和S3C2410A中的所有外围设备都提供时钟。功耗最大。用户可以通过软件来控制外围设备是否提供时钟的操作。
（2）慢速模式：又称无PLL模式。使用外部时钟（XTlpll或EXTCLK）直接作为S3C2410A中的FCLK，而不使用PLL。
（3）空闲模式：只断开CPU内核的时钟(FCLK)，但仍为所有其他外围设备提供时钟。任何中断请求都可以在空闲模式下唤醒CPU。
（4）掉电模式：电源管理模块断开内部电源。通过EINT[15:0]或者RTC报警中断可以实现从掉电模式唤醒。
时钟源选择
由OM[3:2]决定
OM[3:2]
MPLL状态 UPLL状态
主时钟源
USB时钟源
00
On On 晶体
晶体
01
On On 晶体
外部
10
On On
外部
晶体
11
On On 外部
外部
相关寄存器
时间锁存计数寄存器：
LOCKTIME
地址0x4C000000
PLL控制寄存器:
MPLLCON 地址0x4C000004
UPLLCON 地址0x4C000008
PLLCON Bit
MDIV
[19:12]
PDIV
[9:4]
SDIV
[1:0]
公式：Mpll=(m*Fin)/(p*2的s次方)
m=(MDIV+8),p=(PDIV+2),s=SDIV
PLL值选择列表（可参考以设置PLLCON）
![]()
时钟控制寄存器：
CLKCON
地址0x4C00000C
时钟慢速控制寄存器：
CLKSLOW
地址0x4C000010
时钟分割控制寄存器：
CLKDIVN
地址0x4C000014
I/O口
S3C2410A共有117个多功能复用输入/输出口（I/O口），分为8组，即PORT
A~PORT H，8组I/O口按照其位数的不同，可分为：
- 1个23位输出口（PORT A）
- 2个11位I/O口（PORT B和PORT H）
- 4个16位I/O口（PORT C、PORT D、PORT E和PORT G）
- 1个8位I/O口（PORT F）
具体的I/O口配置见S3C2410A芯片手册
在S3C2410A中，大部分引脚都是复用的，所有需要对每一个引脚定义其功能。为了使用I/O口，首先也要定义引脚的功能。配置这些端口，是通过设置一
系列寄存器来实现的。与配置I/O都相关的寄存器包括：端口控制寄存器（GPACON~GPHCON）、端口数据寄存器（GPADAT~GPHDAT）、
端口上拉寄存器（GPBUP~GPHUP）、杂项控制寄存器以及外部中断屏蔽寄存器（EXTINTN）等。所有GPIO寄存器的值在掉电模式下都会被保
存。外部中断屏蔽寄存器EINTMASK不能阻止从掉电模式唤醒，但是如果EINTMASK正在屏蔽的是EINT[15:4]中的某位，则可以实现唤醒，
不过中断源挂起寄存器SRCPND的位EINT4_7和EINT8_23在刚刚唤醒后不置1。
端口控制寄存器用于定义每个引脚的功能。如果GPF0~GPF7和GPG0~GPG7用作掉电模式下的唤醒信号，那么这些端口必须在中断模式下配置。
如果将端口配置为输出口，数据可以写入到端口数据寄存器的相应位中；如果将端口配置为输入口，则可以从端口数据寄存器的相应位中读出数据。
端口上拉寄存器用于控制每组端口的上拉电阻为禁止还是使能。如果相应位设置为0，则表示该引脚的上拉电阻使能；为1，则表示上拉电阻禁止。如果使能了端口上拉寄存器，则不论引脚配置为哪种功能，上拉电阻都会起作用。
杂项控制寄存器用于控制数据端口的上拉电阻、高阻状态、USB
Pad和CLKOUT的选择。
24个外部中断通过不同的信号被请求。EXTINTn寄存器用于配置这些信号对于外部中断请求采用的是低电平触发、高电平触发、下降沿触发、上升沿触发还是双边沿触发。
下面对相关寄存器的设置分别进行描述：
1.PORT A控制寄存器：
GPACON
地址0x56000000
配置A口的引脚，使用位[22:0]
0:输出引脚
1:输入引脚
GPADAT 地址0x56000004
A口的数据寄存器，使用位[22:0]
保留
地址0x56000008
保留
地址0x5600000C
2.PORT B控制寄存器：
GPBCON
地址0x56000010
配置B口的引脚，使用位[21:0]分别对B口的相应11个位进行配置。
00：输入
01：输出
10：功能引脚
11：保留
GPBDAT 地址0x56000014
B口的数据寄存器，使用位[10:0]
GPBUP
地址0x56000018
B口的上拉电阻禁止寄存器，使用位[10:0]
1表示禁止
0表示使能
保留
地址0x5600001C
3.PORT C控制寄存器：
GPCCON
地址0x56000020
配置C口的引脚，使用位[31:0]分别对C口的相应16个位进行配置。
00：输入
01：输出
10：功能引脚
11：保留
GPCDAT 地址0x56000024
C口的数据寄存器，使用位[15:0]
GPCUP
地址0x56000028
C口的上拉电阻禁止寄存器，使用位[15:0]
1表示禁止
0表示使能
保留
地址0x5600002C
4.PORT D控制寄存器：
GPDCON
地址0x56000030
配置D口的引脚，使用位[31:0]分别对D口的相应16个位进行配置。
00：输入
01：输出
10：功能引脚
11：保留/另一功能引脚
GPDDAT 地址0x56000034
D口的数据寄存器，使用位[15:0]
GPDUP
地址0x56000038
D口的上拉电阻禁止寄存器，使用位[15:0]
1表示禁止
0表示使能
保留
地址0x5600003C
5.PORT E控制寄存器：
GPECON
地址0x56000040
配置E口的引脚，使用位[31:0]分别对E口的相应16个位进行配置。
00：输入
01：输出
10：功能引脚
11：保留/另一功能引脚
GPEDAT 地址0x56000044
E口的数据寄存器，使用位[15:0]
GPEUP
地址0x56000048
E口的上拉电阻禁止寄存器，使用位[15:0]
1表示禁止
0表示使能
保留
地址0x5600004C
6.PORT F控制寄存器：
GPFCON
地址0x56000050
配置F口的引脚，使用位[15:0]分别对F口的相应8个位进行配置。
00：输入
01：输出
10：功能引脚
11：保留
GPFDAT 地址0x56000054
F口的数据寄存器，使用位[7:0]
GPFUP
地址0x56000058
F口的上拉电阻禁止寄存器，使用位[7:0]
1表示禁止
0表示使能
保留
地址0x5600005C
7.PORT G控制寄存器：
GPGCON
地址0x56000060
配置G口的引脚，使用位[31:0]分别对G口的相应16个位进行配置。
00：输入
01：输出
10：功能引脚
11：保留/另一功能引脚
GPGDAT 地址0x56000064
G口的数据寄存器，使用位[15:0]
GPGUP
地址0x56000068
G口的上拉电阻禁止寄存器，使用位[15:0]
1表示禁止
0表示使能
保留
地址0x5600006C
8.PORT H控制寄存器：
GPHCON
地址0x56000070
配置D口的引脚，使用位[21:0]分别对D口的相应11个位进行配置。
00：输入
01：输出
10：功能引脚
11：保留/另一功能引脚
GPHDAT 地址0x56000074
H口的数据寄存器，使用位[10:0]
GPHUP
地址0x56000078
H口的上拉电阻禁止寄存器，使用位[10:0]
1表示禁止
0表示使能
保留
地址0x5600007C
9.杂项控制寄存器：
MISCCR 地址0x56000080
控制数据端口的上拉电阻、高阻状态、USB Pad和CLKOUT的选择
10.DCLK控制寄存器：
DCLKCON
地址0x56000084
DCLK0/1控制寄存器，位[27:16]控制DCLK1，位[11:0]控制DCLK0
11.外部中断控制寄存器：
EXTINT0
地址0x56000088
EXTINT1
地址0x5600008C
EXTINT2
地址0x56000090
12.外部中断滤波寄存器：
EINTFLT0 地址0x56000094
EINTFLT1 地址0x56000098
EINTFLT2 地址0x5600009C
控制EINT19~EINT16的滤波时钟和滤波宽度
EINTFLT3 地址0x560000A0
控制EINT23~EINT20的滤波时钟和滤波宽度
13.外部中断屏蔽寄存器：
EINTMASK 地址0x560000A4
使用位[23:4]分别对EINT23~EINT4设置是否屏蔽相应中断
0：使能中断
1：屏蔽中断
14.外部中断挂起寄存器：
EINTPEND 地址0x560000A8
使用位[23:4]分别对EINT23~EINT4设置是否请求中断挂起
0：不请求挂起
1：请求挂起
15.通用状态寄存器：
GSTATUS0 地址0x560000AC
外部引脚状态
GSTATUS1 地址0x560000B0
芯片ID
GSTATUS2 地址0x560000B4
复位状态
GSTATUS3 地址0x560000B8
通知（Inform）寄存器。可被复位信号nRESET或看门狗定时器清零
GSTATUS4 地址0x560000BC
通知（Inform）寄存器。可被复位信号nRESET或看门狗定时器清零
I/O口编程实例
I/O口编程实例
通过一个对G口的操作实例控制LED1和LED2实现轮流闪烁
对I/O口的操作是通过对相关寄存器的读/写实现的。要对寄存器进行读/写操作，首先要对寄存器进行定义。有关I/O相关寄存器的宏定义代码如下：
#define
rGPACON
(*(volatile
unsigned*)0x56000000)
//Port A控制寄存器
#define
rGPADAT
(*(volatile
unsigned*)0x56000004)
//Port A数据寄存器
#define
rGPBCON
(*(volatile
unsigned*)0x56000010)
//Port B控制寄存器
#define
rGPBDAT
(*(volatile
unsigned*)0x56000014)
//Port B数据寄存器
#define rGPBUP
(*(volatile
unsigned*)0x56000018)
//Port B上拉电阻禁止寄存器
#define
rGPCCON
(*(volatile
unsigned*)0x56000020)
//Port C控制寄存器
#define
rGPCDAT
(*(volatile
unsigned*)0x56000024)
//Port C数据寄存器
#define rGPCUP
(*(volatile
unsigned*)0x56000028)
//Port C上拉电阻禁止寄存器
#define
rGPDCON
(*(volatile
unsigned*)0x56000030)
//Port D控制寄存器
#define
rGPDDAT
(*(volatile
unsigned*)0x56000034)
//Port D数据寄存器
#define rGPDUP
(*(volatile
unsigned*)0x56000038)
//Port D上拉电阻禁止寄存器
#define
rGPECON
(*(volatile
unsigned*)0x56000040)
//Port E控制寄存器
#define
rGPEDAT
(*(volatile
unsigned*)0x56000044)
//Port E数据寄存器
#define rGPEUP
(*(volatile
unsigned*)0x56000048)
//Port E上拉电阻禁止寄存器
#define
rGPFCON
(*(volatile
unsigned*)0x56000050)
//Port F控制寄存器
#define
rGPFDAT
(*(volatile
unsigned*)0x56000054)
//Port F数据寄存器
#define rGPFUP
(*(volatile
unsigned*)0x56000058)
//Port F上拉电阻禁止寄存器
#define
rGPGCON
(*(volatile
unsigned*)0x56000060)
//Port G控制寄存器
#define
rGPGDAT
(*(volatile
unsigned*)0x56000064)
//Port G数据寄存器
#define rGPGUP
(*(volatile
unsigned*)0x56000068)
//Port G上拉电阻禁止寄存器
#define
rGPHCON
(*(volatile
unsigned*)0x56000070)
//Port H控制寄存器
#define
rGPHDAT
(*(volatile
unsigned*)0x56000074)
//Port H数据寄存器
#define rGPHUP
(*(volatile
unsigned*)0x56000078)
//Port H上拉电阻禁止寄存器
要想实现对G口的配置，只要在地址0x56000060中给32位的每一位赋值就可以了。如果G口的某个引脚被配置为输出引脚，在PDATG对应的地址位写入1时该引脚输出高电平；写入0时该引脚输出低电平。如果该引脚被配置为功能引脚，则该引脚作为相应的功能引脚使用。
下面是实现LED1和LED2轮流闪烁的程序代码：
void Main(void){
int flag,i;
Target_Init();//进行硬件初始化操作，包括对I/O口的初始化操作
for(; ;){
if(flag==0){
for(i=0;i中断
前几天一连打了这么多字，有点累啊。没想到打字这么累。聊天打字时都没这种感觉，可能是聊天时太有情趣了吧。哈哈，不过这几天学习下来，收获了很多，继续加油！fighting!!
ARM的中断原理
CPU与外设的数据传输方式通常有以下3种方式：查询方式、中断方式、DMA方式。所谓查询方式是指，CPU不到查询外设的状态，如果外设准备就绪则开始
进行数据传输；如果外设还没有准备好，CPU将进入循环等待状态。很显然这样浪费了大量的CPU时间，降低了CPU的利用率。所谓中断方式是指，当外设准
备好与CPU进行数据传输时，外设首先向CPU发出中断请求，CPU接收到中断请求并在一定条件下，暂时停止原来的程序并执行中断服务处理程序，执行完毕
以后再返回原来的程序继续执行。由此可见，采用中断方式避免了CPU把大量的时间花费在查询外设状态的操作上，从而大大提高了CPU的执行效率。
ARM系统包括两类中断：一类是IRQ中断，另一类是FIQ中断。IRQ是普通中断，FIQ是快速中断，在进行大批量的复制、数据传输等工作时，常使用FIQ中断。FIQ的优先级高于IRQ。
在ARM系统中，支持7类异常，包括：复位、未定义指令、软中断、预取中止、数据中止、IRQ和FIQ，每种异常对应于不同的处理器模式。一旦发生异常，
首先要进行模式切换，然后程序将转到该异常对应的固定存储地址执行。这个固定的地址称为异常向量。异常向量中保存的通常为异常处理程序的地址。ARM的异
常向量如下：
异常
模式
正常地址
高向量地址
复位
管理 0x0000
0000 0xFFFF
0000
未定义指令
未定义
0x0000
0004
0xFFFF 0004
软中断 管理 0x0000
0008
0xFFFF 0008
预取指中止 中止
0x0000
000C
0xFFFF 000C
数据中止 中止
0x0000
0010 0xFFFF
0010
IRQ
IRQ 0x0000
0018 0xFFFF
0018
FIQ
FIQ
0x0000
001C
0xFFFF 001C
由此可见，IRQ中断和FIQ中断都属于ARM的异常模式。在ARM系统中，一旦有中断发生，不管是外部中断，还是内部中断，正在执行的程序都会停下来。接下来通常会按照如下步骤处理中断：
（1）保存现场。保存当前的PC值到R14，保存当前的程序运行状态到SPSR。
（2）模式切换。根据发生的中断类型，进入IRQ模式或FIQ模式。
（3）获取中断源。以异常向量表保存在低地址处为例，若是IRQ中断，则PC指针跳动0x18处；若是FIQ中断，则跳到0x1C处。IRQ和FIQ的异常向量地址处一般保存的是中断服务子程序的地址，所以接下来PC指针跳入中断服务子程序处理中断。
（4）中断处理。
（5）中断返回，恢复现场。当完成中断服务子程序后，将SPSR中保存的程序运行状态恢复到CPSR中，R14中保存的被中断程序的地址恢复到PC中，继续执行被中断的程序。
S3C2410A的中断控制器
ARM920T
CPU的中断可分为FIQ和IRQ。为了使CPU能够响应中断，必须首先对程序状态寄存器（PSR）中的F位和I位进行正确设置。如果PSR的F位为1，
则CPU不会响应来自中断控制器的FIQ中断；如果PSR的I位为1，则CPU不会响应来自中断控制器的IRQ中断。因此，为了使中断控制器能够接收中断
请求，必须在启动代码中将PSR中的F位和I位设置为0，同时还需要将中断屏蔽寄存器（INTMSK）中的相应位设置为0。
中断屏蔽寄存器用于指示中断是否禁止。设置为1表示相应中断禁止，为0则发生中断时正常执行中断服务。如果发生中断时相应的屏蔽位正好为1，则中断挂起寄存器中的相应中断源挂起位将置1。
S3C2410A有2个中断挂起寄存器：中断源挂起寄存器（SPCPND）和中断挂起寄存器（INTPND）。这两个挂起寄存器用于指示某个中断请
求是否处于挂起状态。当多个中断源请求中断服务时，SRCPND寄存器中的相应位置1，仲裁过程结束后INTPND寄存器中只有1位被自动置1。
S3C2410A中的中断控制器能够接收来自56个中断源的请求。见芯片手册，由于引脚有限，因此采用了共享中断技术。由芯片手册可知S3C2410A共
有32个中断请求信号。中断请求的优先级逻辑是由7个仲裁器组成的，其中包括6个一级仲裁器和1个二级仲裁器。每个仲裁器是否使能由寄存器
PRIORITY[6:0]决定。每个仲裁器可以处理4~6个中断源，从中选出优先级最高的。优先级顺序由寄存器PRIORITY[20:7]的相应位决
定。
要想使用S3C2410A的中断控制器，必须对以下列出的寄存器进行正确配置。以下寄存器中的每一位含义参阅芯片手册。
寄存器
地址
描述
复位值
SRCPND 0x4A00
0000
中断源挂起寄存器，当
0x0
中断产生后，相应位置1
INTMOD 0x4A00
0004
中断模式寄存器
0x0
0=IRQ模式，1=FIQ模式
INTMSK
0x4A00 0008
中断屏蔽寄存器 0xFFFF
FFFF
0=中断允许，1=中断屏蔽
PRIORITY
0x4A00
000C 中断优先级控制寄存器，设置 0x7F
中断优先级
INTPND
0x4A00
0010
中断挂起寄存器，只是中断
0x0
请求的状态。
0=该中断没有请求
1=该中断源发出中断请求
INTOFFSET
0x4A00
0014 中断偏移寄存器，只是IRQ中断源
0x0
SUBSRCPND
0x4A00
0018
子中断源挂起寄存器，指示中断
0x0
请求的状态
0=该中断没有请求
1=该中断源发出中断请求
INTSUBMSK
0x4A00 001C
定义哪个中断源屏蔽 0x7FF
0=中断服务允许，1=中断服务屏蔽
所有来自中断源的中断请求首先被登记到中断源挂起寄存器中。在中断模式寄存器，中断请求分成两类：FIQ和IRQ。多个IRQ中断的仲裁过程在优先级寄存器进行。
中断源挂起寄存器可以看作各种中断有无请求的状态标志寄存器。相应位置1，说明存在该中断请求；相应位为0，说明该中断请求产生。
中断模式寄存器主要用于配置该中断是IRQ型中断，还是FIQ型中断。
中断编程实例
今天是愚人节，先祝大家节日快乐。哈哈~~~~~~~~~~~~~~~
由于近段时间工作比较忙，好久没写东西了，在此给自己加油，努力努力，坚持下去，学ARM之路，任重道远！！！！！！！革命尚未成功，同志仍需努力！继续。
介绍一个通过定时器1中断控制CPU板上的LED1和LED2实现轮流闪烁的实例，需要完成的主要工作如下：
（1）对定时器1初始化，并设定定时器的中断时间为1s，据代码参见Timer1_init()函数。
void Timer1_init(void){
rGPCON=rGPGCON&0xfff0ffff|0x00050000;//配置GPG口为输出口
rGPGDAT=rGPGDAT|0x300;
rTCFG0=255;
rTCFG1=0
rTCNTB1=48828;//在pclk=50MHz下，1s的记数值rTCNTB1=50000000/4/256=48828
rTCMPB1=0x00;
rTCON=(1
rTCON=(1
}
（2）为了使CPU响应中断，在中断服务子程序执行之前，必须打开ARM920T的CPSR中的I位，以及相应的中断屏蔽寄存器中的位。打开相应的中断屏蔽寄存器的位，是在Timer1INT_Init()函数中实现，具体代码如下。
void Timer1INT_Init(void){
//定时器接口使能
if((rINTPND&BIT_TIMER1)){
rSRCPND|=BIT_TIMER1;
}
pISR_TIMER1=(int)Timer1_ISR;
//写入定时器1中断服务子程序的入口地址
rINTMSK
&=~(BIT_TIMER1);
//开中断
}
（3）等待定时器中断，通过一个死循环如“while(1)；”实现等待过程。
（4）根据设置的定时时间，产生定时器中断。中断发生后，首先进行现场保护，然后转入中断的入口代码处执行。该部分代码通常使用汇编语言编写。在执行中断服务程序之前，要确保HandleIRQ地址处保存中断分发程序IsrIRQ的入口地址，代码如下。
ldr r0,=HandleIRQ
ldr r1,=IsrIRQ
str r1,[r0]
接下来将执行IsrIRQ中断分发程序，具体代码如下。
IsrIRQ
sub
sp,sp,#4 ;为保存PC预留堆栈空间
stmfd sp!,{r8-r9}
ldr
r9,=INTOFFSET
ldr
r9,[r9]
;加载INTOFFSET寄存器值到r9
ldr
r8,=HandleEINT0
;加载中断向量表的基地址到r8
add
r8,r8,r9,lsl
#2
;获得中断向量
ldr
r8,[r8]
;加载中断服务程序的入口地址到r8
str
r8,[sp,#8]
;保存sp，将其作为新的pc值
ldmfd
sp!,{r8-r9,pc}
;跳转到新的pc处执行，即跳转到中断服务子程序执行
（5）执行中断服务子程序，该子程序实现将LED1和LED2灯熄灭或点亮。从现象中看到LED1和LED2灯闪烁一次，就说明定时器发生了一次中断。具体实现见函数Timer1_ISR().
int flag;
void_ _irq Timer1_ISR(void){
if(flag==0){
rGPGDAT=rGPGDAT&0xeff|0x200;
flag=1;
}
else{
rGPGDAT=rGPGDAT&0xdff|0x100;
flag=0;
}
rSRCPND|=BIT_TIMER1;
rINTPND|=BIT_TIMER1;
}
(6)从中断中返回，恢复现场，跳转到被中断的主程序继续执行，等待下一次中断的到来。
存储、NAND FLASH控制器实验
*******MEMORY
CONTROLLER*******
本实验介绍如何使用SDRAM，这需要设置13个寄存器。呵呵，别担心，这些寄存器很多是类似的，并且由于我们只使用了BANK6，大部分的寄存器我们不必理会：
1．BWSCON：对应BANK0-BANK7，每BANK使用4位。这4位分别表示：
a．STx：启动/禁止SDRAM的数据掩码引脚，对于SDRAM，此位为0；对于SRAM，此位为1。
b．WSx：是否使用存储器的WAIT信号，通常设为0
c．DWx：使用两位来设置存储器的位宽：00-8位，01-16位，10-32位，11-保留。
d．比较特殊的是BANK0对应的4位，它们由硬件跳线决定，只读。
对于本开发板，使用两片容量为32Mbyte、位宽为16的SDRAM组成容量为64Mbyte、位宽为32的存储器，所以其BWSCON相应位
为：0010。对于本开发板，BWSCON可设为0x22111110：其实我们只需要将BANK6对应的4位设为0010即可，其它的是什么值没什么影
响，这个值是参考手册上给出的。
2．BANKCON0-BANKCON5：我们没用到，使用默认值0x00000700即可
3．BANKCON6-BANKCON7：设为0x00018005
在8个BANK中，只有BANK6和BANK7可以使用SRAM或SDRAM，所以BANKCON6-7与BANKCON0-5有点不同：
a．MT([16:15])：用于设置本BANK外接的是SRAM还是SDRAM：SRAM-0b00，SDRAM-0b11
b．当MT=0b11时，还需要设置两个参数：
Trcd([3:2])：RAS to CAS delay，设为推荐值0b01
SCAN([1:0])：SDRAM的列地址位数，对于本开发板使用的SDRAM
HY57V561620CT-H，列地址位数为9，所以SCAN=0b01。如果使用其他型号的SDRAM，您需要查看它的数据手册来决定SCAN的取值：00-8位，01-9位，10-10位
4．REFRESH(SDRAM refresh control
register)：设为0x008e0000+ R_CNT
其中R_CNT用于控制SDRAM的刷新周期，占用REFRESH寄存器的[10:0]位，它的取值可如下计算(SDRAM时钟频率就是HCLK)：
R_CNT = 2^11 + 1 – SDRAM时钟频率(MHz) *
SDRAM刷新周期(uS)
在未使用PLL时，SDRAM时钟频率等于晶振频率12MHz；SDRAM的刷新周期在SDRAM的数据手册上有标明，在本开发板使用的SDRAM
HY57V561620CT-H的数据手册上，可看见这么一行“8192 refresh cycles /
64ms”：所以，刷新周期=64ms/8192 = 7.8125 uS。
对于本实验，R_CNT = 2^11 + 1 – 12 * 7.8125 =
1955,
REFRESH=0x008e0000 + 1955 = 0x008e07a3
5．BANKSIZE：0x000000b2
位[7]=1：Enable burst operation
位[5]=1：SDRAM power down mode enable
位[4]=1：SCLK is active only during the access
(recommended)
位[2:1]=010：BANK6、BANK7对应的地址空间与BANK0-5不同。BANK0-5的地址空间都是固定的128M，地址范围是
(x*128M)到(x+1)*128M-1，x表示0到5。但是BANK7的起始地址是可变的，您可以从S3C2410数据手册第5章“Table
5-1. Bank 6/7
Addresses”中了解到BANK6、7的地址范围与地址空间的关系。本开发板仅使用BANK6的64M空间，我们可以令位
[2:1]=010(128M/128M)或001(64M/64M)：这没关系，多出来的空间程序会检测出来，不会发生使用不存在的内存的情况——后面
介绍到的bootloader和linux内核都会作内存检测。
位[6]、位[3]没有使用
6．MRSRB6、MRSRB7：0x00000030
能让我们修改的只有位[6:4](CL)，SDRAM
HY57V561620CT-H不支持CL=1的情况，所以位[6:4]取值为010(CL=2)或011(CL=3)。
只要我们设置好了上述13个寄存器，往后SDRAM的使用就很简单了。本实验先使用汇编语言设置好SDRAM，然后把程序本身从Steppingstone(还记得吗？本节开始的时候提到过，复位之后NAND
Flash开头的4k代码会被自动地复制到这里)复制到SDRAM处，然后跳到SDRAM中执行。
本实验源代码在SDRAM目录中，
head.s开头的代码如下：
1 bl disable_watch_dog
2 bl memsetup
3 bl copy_steppingstone_to_sdram
4 ldr pc, =set_sp @跳到SDRAM中继续执行
5 set_sp:
6 ldr sp, =0x34000000 @设置堆栈
7 bl main @跳转到C程序main函数
8 halt_loop:
9 b halt_loop
为了让程序结构简单一点，我都使用函数调用的方式。第一条指令是禁止WATCH
DOG，往WTCON寄存器(地址0x53000000)写入0即可禁止WATCH
DOG。第二条指令设置本节开头所描述的13个寄存器，以便使用SDRAM。往下程序做的事情就是：将Steppingstone中的代码复制到SDRAM中(起始地址为
0x30000000)，然后向pc寄存器直接赋值跳到SDRAM中执行下一条指令“ldr
sp, =0x34000000”。
********NAND FLASH CONTROLLER***********
当OM1、OM0都是低电平(请看数据手册198页)——即开发板插上BOOT
SEL跳线时，S3C2410从NAND Flash启动：NAND
Flash的开始4k代码会被自动地复制到内部SRAM中。我们需要使用这4k代码来把更多的代码从NAND
Flash中读到SDRAM中去。NAND
Flash的操作通过NFCONF、NFCMD、NFADDR、NFDATA、NFSTAT和NFECC六个寄存器来完成。在开始下面内容前，请打开S3C2410数据手册和NAND
Flash K9F1208U0M的数据手册。
在S3C2410数据手册218页，我们可以看到读写NAND
Flash的操作次序：
1. Set NAND flash configuration by NFCONF
register.
2. Write NAND flash command onto NFCMD
register.
3. Write NAND flash address onto NFADDR
register.
4. Read/Write data while checking NAND flash status
by NFSTAT register. R/nB signal should be checked before read
operation or after program operation.
下面依次介绍：
1、NFCONF：设为0xf830——使能NAND
Flash控制器、初始化ECC、NAND
Flash片选信号nFCE=1(inactive，真正使用时再让它等于0)、设置TACLS、TWRPH0、TWRPH1。需要指出的是TACLS、
TWRPH0和TWRPH1，请打开S3C2410数据手册218页，可以看到这三个参数控制的是NAND
Flash信号线CLE/ALE与写控制信号nWE的时序关系。我们设的值为TACLS=0，TWRPH0=3，TWRPH1=0，其含义
为：TACLS=1个HCLK时钟，TWRPH0=4个HCLK时钟，TWRPH1=1个HCLK时钟。请打开K9F1208U0M数据手册第13页，在
表“AC
Timing Characteristics for Command / Address / Data
Input”中可以看到：
CLE setup Time = 0 ns，CLE Hold Time = 10 ns，
ALE setup Time = 0 ns，ALE Hold Time = 10 ns，
WE Pulse Width = 25 ns
可以计算，即使在HCLK=100MHz的情况下，TACLS+TWRPH0+TWRPH1=6/100
uS=60 ns，也是可以满足NAND Flash K9F1208U0M的时序要求的。
2、NFCMD：
对于不同型号的Flash，操作命令一般不一样。对于本板使用的K9F1208U0M，请打开其数据手册第8页“Table
1. Command Sets”，上面列得一清二楚。
3、NFADDR：无话可说
4、NFDATA：只用到低8位
5、NFSTAT：只用到位0，0-busy，1-ready
6、NFECC：待补
现在来看一下如何从NAND
Flash中读出数据，请打开K9F1208U0M数据手册第29页“PAGE
READ”，跟本节的第2段是遥相呼应啊，提炼出来罗列如下(设读地址为addr)：
1、NFCONF = 0xf830
2、在第一次操作NAND Flash前，通常复位一下：
NFCONF &= ~0x800 (使能NAND Flash)
NFCMD = 0xff (reset命令)
循环查询NFSTAT位0，直到它等于1
3、NFCMD = 0 (读命令)
4、这步得稍微注意一下，请打开K9F1208U0M数据手册第7页，那个表格列出了在地址操作的4个步骤对应的地址线，A8没用到：
NFADDR = addr & 0xff
NFADDR = (addrNFADDR = (addrNFADDR = (addr5、循环查询NFSTAT位0，直到它等于1
6、连续读NFDATA寄存器512次，得到一页数据(512字节)
7、NFCONF |= 0x800 (禁止NAND Flash)
本文来自ChinaUnix博客，如果查看原文请点：http://blog.chinaunix.net/u2/70744/showart_1205442.html |
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发表于 2008-09-18 16:02