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Nor flash 和 Nand flash的比较 [复制链接]

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发表于 2011-02-26 21:34 |只看该作者 |倒序浏览
    NOR Flash  生产厂商有 Intel和ST, Nand Flash厂商有Hynix,micon,Samsung,Toshiba 和Fujitsu等。2006年NAND 将占据59%的闪存市场份额,NOR的市场份额将下降到41%。而到2009 年时,NAND 的市场份额将上升到65%,NOR的市场份额将进一步下滑到35%。

    Nand  主要应用:Compacflash,Secure Digi-tal,Smartmedia,SD,MMC,Xd,PC Card,USB Sticks等。 
    NOR 的传输效率很高,在小容量时具有很高的成本效益,更加安全,不容易出现数据故障,因此,主要应用以代码存储为主,多与运算相关。 

    目前,NAND 闪存主要用在数码相机闪存卡和 MP3 播放机中,这两个市场的增长非常迅速。而 NOR 芯片主要用在手机和机顶盒中,这两个市场的增长速度相对较慢。
 
性能比较
 
   Flash闪存是非易失存储器,可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行,所以大多数情况下,在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND 器件执行擦除操作是十分简单的,而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。
    由于擦除NOR器件时是以64~128KB 的块进行的,执行一个写入/擦除操作的时间为5s,与此相反,擦除NAND器件是以8~32KB的块进行的,执行相同的操作最多只需要4ms。
    执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了 NOR 和 NADN 之间的性能差距,统计表明,对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。这样,当选择存储解决方案时,设计师必须权衡以下的各项因素。
 
  ● NOR的读速度比NAND稍快一些。
 
  ● NAND的写入速度比NOR快很多。
 
  ● NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。
 
  ● 大多数写入操作需要先进行擦除操作。
 
  ● NAND的擦除单元更小,相应的擦除电路更少。
 
接口差别
 
   NOR flash带有SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,可以很容易地存取其内部的每一个字节。
   NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据,各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址
和数据信息。
   NAND 读和写操作采用 512 字节的块,这一点有点像硬盘管理此类操作,很自然地,基于 NAND 的存储器就可以取代
硬盘或其他块设备。
 
容量和成本
 
   NAND flash 的单元尺寸几乎是 NOR 器件的一半,由于生产过程更为简单,NAND 结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量,也就相应地降低了价格。
   NOR flash占据了容量为1~16MB闪存市场的大部分,而NAND flash只是用在8~128MB的产品当中,这也说明NOR主要应用在代码存储介质中,NAND适合于数据存储,NAND 在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC 存储卡
市场上所占份额最大。
 
可靠性和耐用性
 
  采用flahs 介质时一个需要重点考虑的问题是可靠性。对于需要扩展MTBF的系统来说,Flash 是非常合适的存储方案。可以从寿命(耐用性)、位交换和坏块处理三个方面来比较NOR和NAND的可靠性。 
 
   寿命(耐用性)
   在NAND 闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次,而NOR的擦写次数是十万次。NAND存储器除了具有10比1的
块擦除周期优势,典型的NAND块尺寸要比NOR器件小8倍,每个NAND存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。 
 
    位交换
 
    所有flash 器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下(很少见,NAND发生的次数要比NOR多),一个比特位会发生反转或被报告反转了。 
    一位的变化可能不很明显,但是如果发生在一个关键文件上,这个小小的故障可能导致系统停机。如果只是报告有问题,多读几次就可能解决了。
    当然,如果这个位真的改变了,就必须采用错误探测/错误更正(EDC/ECC)算法。位反转的问题更多见于NAND闪存,NAND的供应商建议使用NAND闪存的时候,同时使用EDC/ECC算法。
    这个问题对于用 NAND 存储多媒体信息时倒不是致命的。当然,如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其他敏感信息时,必须使用EDC/ECC系统以确保可靠性。 
 
   坏块处理
 
   NAND器件中的坏块是随机分布的。以前也曾有过消除坏块的努力,但发现成品率太低,代价太高,根本不划算。
   NAND 器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块,并将坏块标记为不可用。在已制成的器件中,如果通过可靠的方法不能进行这项处理,将导致高故障率。 
 
 
易于使用
 
    可以非常直接地使用基于NOR的闪存,可以像其他存储器那样连接,并可以在上面直接运行代码。
    由于需要I/O接口,NAND要复杂得多。各种NAND器件的存取方法因厂家而异。
    在使用NAND器件时,必须先写入驱动程序,才能继续执行其他操作。向NAND 器件写入信息需要相当的技巧,因为设计师绝不能向坏块写入,这就意味着在NAND器件上自始至终都必须进行虚拟映射。
 
软件支持
 
    当讨论软件支持的时候,应该区别基本的读/写/擦操作和高一级的用于磁盘仿真和闪存管理算法的软件,包括性能优化。 
  在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持,在NAND器件上进行同样操作时,通常需要驱动程序,也就是内存技术驱动程序(MTD),NAND和NOR器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD。
  使用 NOR 器件时所需要的 MTD 要相对少一些,许多厂商都提供用于 NOR 器件的更高级软件,这其中包括 M-System的TrueFFS驱动,该驱动被Wind River System、Microsoft、QNX Software System、Symbian和Intel等厂商所采用。
    驱动还用于对DiskOnChip产品进行仿真和NAND闪存的管理,包括纠错、坏块处理和损耗平衡。
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