nand flash读写 chinaunix
nand flash控制器 S3C2410板的nand flash支持由两部分组成:nand flash控制器(集成在S3C2410 CPU)和nand flash存储芯片(K9F1208U0B)两部分组成。当要访问nand flash中的数据时,必须通过nand flash控制器发送命令才能完成。所以nand flash相当于S3C2410的一个外设,而不位于它的内存地址区. 为了支持nand flash的启动装载，S3C2410A配置了一个叫Steppingstone的内部SRAM缓冲器。当系统启动时，nand flash存储器的前4KB将被自动...
by langzi2 - BSD文档中心 - 2011-01-24 14:57:39 阅读（5139） 回复（1）
我的板子上使用的是SAMSUNG的K9F1208U0B，下面我将对此型号的nandflash读取操作做一个讲解。 首先我们先从物理结构上来了解这颗芯片，结构图如下所示 正如硬盘的盘片被分为磁道，每个磁道又被分为若干扇区，一块nand flash被分为若干Block,每个Block又被分为若干Page。由上图我们可以知道flash中 Byte(字节)，Page(页),Block（块）3个单位之间的关系为 : 1 Page =512 Bytes Data Field+ 16 Bytes Spare Field 1 Blcok=32 Pages...
二．nand flash nand flash 在对大容量的数据存储需要中日益发展，到现今，所有的数码相机、多数ＭＰ３播放器、各种类型的Ｕ盘、很多PDA里面都有nand flash的身影。 1. flash的简介 NOR flash： u 程序和数据可存放在同一片芯片上，拥有独立的数据总线和地址总线，能快速随机地读取，允许系统直接从flash中读取代码执行，而无需先将代码下载至ＲＡＭ中再执行 u 可以单字节或单字编程，但不能单字节擦除，必须以块...
nand flash 读写寻址方式 nand flash的寻址方式和nand flash的memory组织方式紧密相关。nand flash的数据是以bit的方式保存在memory cell，一般来说，一个cell中只能存储一个bit。这些cell以8个或者16个为单位，连成bit line，形成所谓的byte(x8)/word(x16)，这就是nand Device的位宽。 这些Line会再组成Page，通常是528Byte/page或者264Word/page。然后，每32个page形成一个Block，Sizeof(block)=16kByte. Block是NA...
Normal 0 7.8 磅 0 2 false false false MicrosoftInternetExplorer4 st1\:*{behavior:url(#ieooui) } /* Style Definitions */ table.MsoNormalTable {mso-style-name:普通表格; mso-tstyle-rowband-size:0; mso-tstyle-colband-size:0; mso-style-noshow:yes; mso-style-parent:""; mso-padding-alt:0cm 5.4pt 0cm 5.4pt; mso...
各位，俺碰到的一个怪问题： 我在bootloader中对nand flash的其中一个block的一个page写入一个数0x0001 0000 0000 0000，到了busybox中使用hexdump出来的却是0x0000 0000 0000 0000。 上面所举的数是其中一个，还有尝试过以下的数据： bootloader中写 hexdump出来的 是否一至 0x0001 0000 0000 1000 0x0001 0000 0000 1000...
来自：http://linux.chinaunix.net/techdoc/system/2008/07/21/1018735.shtml
首先擦除需要写的区域例如
nand rease 0x0 0x300000 擦除偏移0 长度3M的区域;
把数据load到内存(sdram)里面,tftp 0x22000000 zImage.img
load到 0x22000000的地方.
把数据写入nandflash nand write 0x22000000 0x100000 0x140000;
在此注意 0x140000为写入的长度,你的文件可能不是这么大,我的...
nand flash是以page为单位读写，以block为单位擦除的 在写某个地址之前必须擦除该地址所在的block。 所以要想给某地址写入一段数据，就必须 把该地址所在的block算出来---->把该block数据读入一缓冲区---->擦除该block---->把要写入的数据加入缓冲区---->写入该block 在读数据时通常要加ecc校验的 现在问题就是 在读block的时候： 1，若该block已经被写入过数据，则此ecc校验是正确的 2，若该block是刚被擦除完的，则此ecc校验是错...
首先 擦除 需要写的 区域 例如 nand rease 0x0 0x300000 擦除偏移0 长度3M的区域; 把数据load到内存(sdram)里面,tftp 0x22000000 zImage.img load到 0x22000000的地方. 把数据写入nandflash nand write 0x22000000 0x100000 0x140000; 在此注意 0x140000为写入的长度,你的文件可能不是这么大,我的 zImage.img 是0x13900c; 但是 如果写 0x13900c 这么长 会出现错误 nand_write_ecc: Attempt to write not page aligned data ...
一般nand flash分成页（512），空闲区(16），和块（32个pages)，是不是这些页必须顺序写的，比如写了第10页，那前面没有写的9页页不能再写了呢？ 我看linux中NFTL中的磨损算法(wear-leveling)中都没有考虑到有的nand flash必须顺序写， 有那些nand flash是要顺序写的呢？
我要做一个基于ARM linux开发板的webserver，远程登录开发板，修改开发板的server地址。 现在我想请问一下，怎么修改开发板的server地址？我们可以通过u-boot的bootargs修改这个server IP地址， #cat /proc/mtd 可以看到nand flash分区情况： dev: size erasesize name mtd0: 001c0000 00004000 "bootloader" mtd1: 00040000 00004000 "params" mtd2: 00400000 00004000 "kernel" mtd3: 03a00000 00004000 "filesystem" mtd...
