文件: nand flash ecc(原版).pdf 大小: 409KB 下载: 下载 本文来自ChinaUnix博客，如果查看原文请点：http://blog.chinaunix.net/u2/67144/showart_1070971.html
/* *By Neil Chiao ( [email=neilchiao@163.com]neilchiao at gmail.com[/email] ) *转载请注明出处： neilengineer.cublog.cn */ ECC（Error Checking and Correcting）简介 由于nand flash的工艺不能保证nand的Memory Array在其生命周期中保持性能的可靠，因此，在nand的生产中及使用过程中会产生坏块。为了检测数据的可靠性，在应用nand flash的系统中一般都会采用一定的坏区管理策略，而管理坏区的前提是能比较...
作者：龙林 EMAIL：dragon_hn@sohu.com WEB：www.dragon-2008.com ECC简介 由于nand flash的工艺不能保证nand的Memory Array在其生命周期中保持性能的可靠，因此，在nand的生产中及使用过程中会产生坏块。为了检测数据的可靠性，在应用nand flash的系统中一般都会采用一定的坏区管理策略，而管理坏区的前提是能比较可靠的进行坏区检测。 如果操作时序和电路稳定性不存在问题的话，nand flash出...
ECC简介 由于nand flash的工艺不能保证nand的Memory Array在其生命周期中保持性能的可靠，因此，在nand的生产中及使用过程中会产生坏块。为了检测数据的可靠性，在应用nand flash的系统中一般都会采用一定的坏区管理策略，而管理坏区的前提是能比较可靠的进行坏区检测。 如果操作时序和电路稳定性不存在问题的话，nand flash出错的时候一般不会造成整个Block或是Page不能读取或是全部出错，而是整个Page（例如512Bytes）中...
nand flash ECC校验原理与实现 作者：龙林 EMAIL：dragon_hn@sohu.com WEB： www.dragon-2008.com ECC简介 ??由于nand flash的工艺不能保证nand的Memory Array在其生命周期中保持性能的可靠，因此，在nand的生产中及使用过程中会产生坏块。为了检测数据的可靠性，在应用nand flash的系统中一般都会采用一定的坏区管理策略，而管理坏区的前提是能比较可靠的进行坏区检测。 ??如果操作时序和电路稳定性不存在问题的话，nand flash...
nand flash ECC校验原理与实现 作者：龙林 EMAIL：dragon_hn@sohu.com WEB：www.dragon-2008.com ECC简介 ??由于nand flash的工艺不能保证nand的Memory Array在其生命周期中保持性能的可靠，因此，在nand的生产中及使用过程中会产生坏块。为了检测数据的可靠性，在应用nand flash的系统中一般都会采用一定的坏区管理策略，而管理坏区的前提是能比较可靠的进行坏区检测。 ??如果操作时序和电路稳定性不存在问题的话，nand flash出...
ECC简介 ??由于nand flash的工艺不能保证nand的Memory Array在其生命周期中保持性能的可靠，因此，在nand的生产中及使用过程中会产生坏块。为了检测数据的可靠性，在应用nand flash的系统中一般都会采用一定的坏区管理策略，而管理坏区的前提是能比较可靠的进行坏区检测。 ??如果操作时序和电路稳定性不存在问题的话，nand flash出错的时候一般不会造成整个Block或是Page不能读取或是全部出错，而是整个Page（例如512Bytes）中只有...
[color="#000000"] nand闪存工作原理 S3C2410开发板的nand闪存由nand闪存控制器(集成在S3C2410 CPU中)和nand闪存芯片(K9F1208U0A)两大部分组成。当要访问nand闪存芯片中的数据时,必须通过nand闪存控制器发送命令才能完 成。所以, nand闪存相当于S3C2410的一个外设,而不位于它的内存地址区。 nand闪存(K9F1208U0A)的数据存储结构分层为：1设备(Device) = 4096 块(Block);1块= 32页/行(Page/row);1页= 528B = 数据块 ...
当前各类嵌入式系统开发设计中，存储模块是不可或缺的重要方面。NOR和nand是目前市场上两种主要的非易失闪存技术。Nor-flash存储器的容量 较小、写入速度较慢，但因其随机读取速度快，因此在嵌入式系统中，常应用在程序代码的存储中。Nor-flash存储器的内部结构决定它不适合朝大容量发 展;而nand-flash存储器结构则能提供极高的单元密度，可以达到很大的存储容量，并且写入和擦除的速度也很快。 nand-flash存储器是flash存...
