NAND flash saveenv 地址分配
如下： static struct mtd_partition nand_partitions[] = { /* bootloader (U-Boot, etc) in first sector */ { .name = "bootloader", .offset = 0, .size = SZ_256K, .mask_flags = MTD_WRITEABLE, /* force read-only */ }, /* bootloader params in the next sector */ { .name = "params", .offset = MTDPART_OFS_APPEND, .size = SZ_128K, .mask_flags...
by lanmanck - 嵌入式开发 - 2012-11-02 11:14:43 阅读（4792） 回复（9）
在配置u-boot1.2.0中有关nandflash代码的时候，有几个配置项需要说明一下：
1）ADDR_COLUMN 该项指明了nand flash中页内地址的字节数，以K9F1208作为例子，其应该配置为1。
2）ADDR_PAGE 该项指明了页地址的字节数，由于K9F1208的地址范围是0X0-0X3FFFFFF，总容量为64MB，也就...
内核kernel以及根文件系统rootfs是如何映射到对应的nand flash的地址的 【解答】内核kernel以及根文件系统rootfs是如何映射到对应的nand flash的地址的 【某人问题 内核在启动的过程中，是如何完成将本地的flash设备映射成文件系统的？ 】 我用的是ramdisk.image.gz，烧写在flash的0x10140000处 我不太明白内核在启动过程中式如何将这个文件映射成/目录及各子目录的？ 如果ramdisk.image.gz在flash中的位置发生了变化，应该如何修...
【解答】内核kernel以及根文件系统rootfs是如何映射到对应的nand flash的地址的 【某人问题 内核在启动的过程中，是如何完成将本地的flash设备映射成文件系统的？ 】 我用的是ramdisk.image.gz，烧写在flash的0x10140000处 我不太明白内核在启动过程中式如何将这个文件映射成/目录及各子目录的？ 如果ramdisk.image.gz在flash中的位置发生了变化，应该如何修改内核啊？ 【解答】 没理解错的话，ramdisk.image.gz应该是你的内核的...
我用的扬创2440的开发板移植的uboot，发现可以使用setenv等命令，但是执行saveenv命令没有效果。 执行后会显示： [yc2440]# saveenv Saving Environment to nand... Erasing nand...Writing to nand... done 但是没有效果，无法保存一些环境变量。重启后就会恢复默认设置。 nand flash的定义如下： #define CMD_saveenv #define CFG_ENV_IS_IN_nand 1 #define CFG_ENV_OFFSET 0x20000 #define CFG_nand_LEGACY #define CFG_E...
NOR的特点是芯片内执行(XIP,eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。优点是可以直接从flash中运行程序，但是工艺复杂，价格比较贵，NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。 nand结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用nand的困难在于flash的管理和需要特殊的系统...
所谓flash，是内存（Memory）的一种，但兼有RAM和ROM 的优点，是一种可在系统（In-System）进行电擦写，掉电后信息不丢失的存储器，同时它的高集成度和低成本使它成为市场主流。 flash 芯片是由内部成千上万个存储单元组成的，每个单元存储一个bit。具有低功耗、大容量、擦写速度快、可整片或分扇区在系统编程（烧写）、擦除等特点，并且可由内部嵌入的算法完成对芯片的操作，因而在各种嵌入式系统中得到了广泛的应用。 作为...
NOR和nand是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了nand flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和nand闪存。 相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚nand闪存技术...
NOR flash和nand flash NOR和nand是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了nand flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和nand闪存。 相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。许多业...
