jlink NAND FLASH擦写
nand flash控制器 S3C2410板的nand flash支持由两部分组成:nand flash控制器(集成在S3C2410 CPU)和nand flash存储芯片(K9F1208U0B)两部分组成。当要访问nand flash中的数据时,必须通过nand flash控制器发送命令才能完成。所以nand flash相当于S3C2410的一个外设,而不位于它的内存地址区. 为了支持nand flash的启动装载，S3C2410A配置了一个叫Steppingstone的内部SRAM缓冲器。当系统启动时，nand flash存储器的前4KB将被自动...
by langzi2 - BSD文档中心 - 2011-01-24 14:57:39 阅读（5140） 回复（1）
我的板子上使用的是SAMSUNG的K9F1208U0B，下面我将对此型号的nandflash读取操作做一个讲解。 首先我们先从物理结构上来了解这颗芯片，结构图如下所示 正如硬盘的盘片被分为磁道，每个磁道又被分为若干扇区，一块nand flash被分为若干Block,每个Block又被分为若干Page。由上图我们可以知道flash中 Byte(字节)，Page(页),Block（块）3个单位之间的关系为 : 1 Page =512 Bytes Data Field+ 16 Bytes Spare Field 1 Blcok=32 Pages...
近来，Nor flash的价格居高不下，所以相对来说利用nand flash来存放代码和数据并执行boot code，利用SDRAM来运行用户的主程序成为一种比较经济适用的选择。本文对三星公司的S3C2440的启动位置进行了简要的总结。 1、Not Using nand flash for Boot OM[1:0]=01,10 在这种情况下，boot code被放在Nor flash空间，上电复位的时候，pc指向Norflash空间，开始执行boot程序，然后跳转到存放用户主程序的nand flash空间取指。 三星2440内部...
nand flash ECC 算法 ECC简介 由于nand flash的工艺不能保证nand的Memory Array在其生命周期中保持性能的可靠，因此，在nand的生产中及使用过程中会产生坏块。为了检测数据的可靠性，在应用nand flash的系统中一般都会采用一定的坏区管理策略，而管理坏区...
原文地址： http://www.51c51.net/article/2008/0720/article_5368.html 摘要:nand flash以其优越的特性和更高的性价比,在现代数码产品中得到了广泛的应用。在片上系统芯片中集成nand flash控制器成为一种趋势。本文提出了在一款基于ARM7TDMI CPU CORE的片上系统( SoC)芯片中的nand flash控制器实现方案。通过直接内存存取(DMA)的数据传输方式,使nand flash的数据传输速率得到了一定提高,满足了实际应用的设计要求。该设计方法已通...
2410支持从nand flash启动。通过将flash中最开始的4k代码拷贝到，2410片内的一块不用初始化的sram中运行，该拷贝过程完全由硬件支持，无需软件操作。 nand flash控制器有一个特殊的功能,在S3C2410上电后,nand flash控制器会自动的把nand flash上的前4K数据搬移到4K内部RAM中,并把0x00000000设置内部RAM的起始地址,CPU从内部RAM的0x00000000位置开 始启动。这个过程不需要程序干涉。程序员需要完成的工作,是把最核心的启动...
nand flash nand vs. NOR Beside the different silicon cell design, the most important difference between nand and NOR flash is the bus interface. NOR flash is connected to a address / data bus direct like other memory devices as SRAM etc. nand flash uses a multiplexed I/O Interface with some additional control pins. nand flash is a sequential access device appropriate for mass storage applications...
nand flash 读写寻址方式 nand flash的寻址方式和nand flash的memory组织方式紧密相关。nand flash的数据是以bit的方式保存在memory cell，一般来说，一个cell中只能存储一个bit。这些cell以8个或者16个为单位，连成bit line，形成所谓的byte(x8)/word(x16)，这就是nand Device的位宽。 这些Line会再组成Page，通常是528Byte/page或者264Word/page。然后，每32个page形成一个Block，Sizeof(block)=16kByte. Block是NA...
NOR和nand是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了nand flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和nand闪存。 相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚nand闪存...
NOR和nand是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了nand flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和nand闪存。 相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚nand闪...
NOR和nand是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着,1989年,东芝公司发表了nand flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后,仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR 和nand闪存。 相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚nand闪存技术相...
