nand Flash和Nor Flash有什么区别? 接口差别:Nor Flash采用SRAM的接口,因此方便寻址,可以将程序放在其中直接运行,而nand Flash只有8个I/0口,通过CLE(Command latch enable)和ALE(Address latch enable)来开关I/O线上是数据、命令、地址,因此需要严格的满足nand Flash器件提供的时序。 性能差别:对于Flash的写入速度,其实是写入和擦除的综合速度,nand Flash擦除很简单,而Nor Flash需要将所有位全部写0(这里要说明一下...
by willzzzz - 存储文档中心 - 2008-08-10 22:18:18 阅读(1002) 回复(0)
nand Flash控制器 S3C2410板的nand Flash支持由两部分组成:nand Flash控制器(集成在S3C2410 CPU)和nand Flash存储芯片(K9F1208U0B)两部分组成。当要访问nand Flash中的数据时,必须通过nand Flash控制器发送命令才能完成。所以nand Flash相当于S3C2410的一个外设,而不位于它的内存地址区. 为了支持nand Flash的启动装载,S3C2410A配置了一个叫Steppingstone的内部SRAM缓冲器。当系统启动时,nand Flash存储器的前4KB将被自动...
我的板子上使用的是SAMSUNG的K9F1208U0B,下面我将对此型号的nandFlash读取操作做一个讲解。 首先我们先从物理结构上来了解这颗芯片,结构图如下所示 正如硬盘的盘片被分为磁道,每个磁道又被分为若干扇区,一块nand Flash被分为若干Block,每个Block又被分为若干Page。由上图我们可以知道flash中 Byte(字节),Page(页),Block(块)3个单位之间的关系为 : 1 Page =512 Bytes Data Field+ 16 Bytes Spare Field 1 Blcok=32 Pages...
近来,Nor Flash的价格居高不下,所以相对来说利用nand Flash来存放代码和数据并执行boot code,利用SDRAM来运行用户的主程序成为一种比较经济适用的选择。本文对三星公司的S3C2440的启动位置进行了简要的总结。 1、Not Using nand Flash for Boot OM[1:0]=01,10 在这种情况下,boot code被放在Nor Flash空间,上电复位的时候,pc指向NorFlash空间,开始执行boot程序,然后跳转到存放用户主程序的nand Flash空间取指。 三星2440内部...
nand flash ECC 算法 ECC简介 由于nand Flash的工艺不能保证nand的Memory Array在其生命周期中保持性能的可靠,因此,在nand的生产中及使用过程中会产生坏块。为了检测数据的可靠性,在应用nand Flash的系统中一般都会采用一定的坏区管理策略,而管理坏区...
原文地址: http://www.51c51.net/article/2008/0720/article_5368.html 摘要:nand Flash以其优越的特性和更高的性价比,在现代数码产品中得到了广泛的应用。在片上系统芯片中集成nand Flash控制器成为一种趋势。本文提出了在一款基于ARM7TDMI CPU CORE的片上系统( SoC)芯片中的nand Flash控制器实现方案。通过直接内存存取(DMA)的数据传输方式,使nand Flash的数据传输速率得到了一定提高,满足了实际应用的设计要求。该设计方法已通...
2410支持从nand flash启动。通过将flash中最开始的4k代码拷贝到,2410片内的一块不用初始化的sram中运行,该拷贝过程完全由硬件支持,无需软件操作。 nand Flash控制器有一个特殊的功能,在S3C2410上电后,nand Flash控制器会自动的把nand Flash上的前4K数据搬移到4K内部RAM中,并把0x00000000设置内部RAM的起始地址,CPU从内部RAM的0x00000000位置开 始启动。这个过程不需要程序干涉。程序员需要完成的工作,是把最核心的启动...
MLC型nand闪存颗粒 采用多层单元技术,以日系厂商东芝、瑞萨为代表,主要采用0.13微米的制造工艺。 MLC闪存芯片价格更有竞争力,但读写速度较慢、能耗也比较高、使用寿命较短,比SLC要多15%左右的电流消耗。 SLC型单层单元颗粒 由韩系厂商三星、现代推出,主要采用0.9微米制造工艺,在性能和稳定性上更胜一筹,在能耗上要低于MLC,更可以保证10倍左右的使用寿命。 但也有价格较高、难以提升容量等缺点。 ...
目前,Flash 主要有:nand(与非) 和NOR(异或) 两种类型。 任何Flash 的写操作对象只能是空或已擦除的存储单元,大多数情况下,在写操作之前要进行擦除操作,由于NOR 和nand 具有的属性不同, nand 的擦除操作非常简单, 而NOR 进行擦除操作前要先将目标块内的所有位单元 清0。 NOR 与nand 各存优势,nand 的读写操作以 块、页为单位,它在读和擦除文件时,特别是连续的大 文件,与NOR 相比速度相当快,但nand 的不足在于 随机存取速度较慢且没...
芯片逻辑架构上的差异 芯片逻辑架构上的差异 本文是《让我们谈谈NVRAM》专题 NOR与nand闪存之间在市场上的较量一直没有停止过,但是由于两者的个性都比较明显,所以在所针对的应用领域方面倒并没有太多的冲突。不过,这种“平稳”的局面近年来有所打破,而对于某领域的开发商仍然要关注两者的不同以做出正确的选择。 NOR与nand的“个性”化特征始于两者的内在设计的区别。从架构上看,NOR闪存的设计明显与传统的DRAM相似,地址线...
nand FLASH 读写寻址方式 nand Flash的寻址方式和nand Flash的memory组织方式紧密相关。nand Flash的数据是以bit的方式保存在memory cell,一般来说,一个cell中只能存储一个bit。这些cell以8个或者16个为单位,连成bit line,形成所谓的byte(x8)/word(x16),这就是nand Device的位宽。 这些Line会再组成Page,通常是528Byte/page或者264Word/page。然后,每32个page形成一个Block,Sizeof(block)=16kByte. Block是NA...