已经把nand_ecc.c yaffs_ecc.c wince ecc.c看完了. 在nand_ecc.c跟yaffs_ecc.c 中,都是以512b中分为2部256b校验一次,并且他们的ecc_TABEL也是一样的,1BIT的矫正代码中,错误情况判断相同,处理也是相同的,这样可以不可以说:他们关于ecc的1BIT矫正这块算法就是一样的? 它们的行校验只有16位,而且在512b里有6b的ecc校验 S3C2410A手册中:nand 控制器里 512-BYTE ecc PARITY CODE ASSIGNMENT TABLE ecc0 P64 P64’ P32 P32’ P16 P16’...
作者：龙林 EMAIL：dragon_hn@sohu.com WEB：www.dragon-2008.com ecc简介 由于nand flash的工艺不能保证nand的Memory Array在其生命周期中保持性能的可靠，因此，在nand的生产中及使用过程中会产生坏块。为了检测数据的可靠性，在应用nand flash的系统中一般都会采用一定的坏区管理策略，而管理坏区的前提是能比较可靠的进行坏区检测。 如果操作时序和电路稳定性不存在问题的话，nand flash出...
http://bbs.eepw.com.cn/dispbbs.asp?boardID=20&ID=62900 nand flash 启动 时的 ecc问题 为了支持nand flash 的系统引导，S3C2410A具备了一个叫做“Stepping Stone"的内部SRAM缓冲器。当系统启动时，nand flash的前4KB代码自动载入到“Steppingstone”中，然后系统自动执行这些载入的代码。一般这4KB引导代码需要将nand flash 中的程序内容拷贝到SDRAM中，拷贝完后程序会转入到SDRAM中继续执行。 因为考虑到nand flash的位交换...
在linux kernel 中s3c6410 nand flash的ecc是怎么做的,我看了一下低层好像是通过S3C2410来实现的啊，但两者寄存器的内容都是不太一样的，是不是S3C6410的要自己写还是怎么样？
ecc简介 由于nand flash的工艺不能保证nand的Memory Array在其生命周期中保持性能的可靠，因此，在nand的生产中及使用过程中会产生坏块。为了检测数据的可靠性，在应用nand flash的系统中一般都会采用一定的坏区管理策略，而管理坏区的前提是能比较可靠的进行坏区检测。 如果操作时序和电路稳定性不存在问题的话，nand flash出错的时候一般不会造成整个Block或是Page不能读取或是全部出错，而是整个Page（例如512Bytes）中...
nand flash ecc校验原理与实现 作者：龙林 EMAIL：dragon_hn@sohu.com WEB： www.dragon-2008.com ecc简介 ??由于nand flash的工艺不能保证nand的Memory Array在其生命周期中保持性能的可靠，因此，在nand的生产中及使用过程中会产生坏块。为了检测数据的可靠性，在应用nand flash的系统中一般都会采用一定的坏区管理策略，而管理坏区的前提是能比较可靠的进行坏区检测。 ??如果操作时序和电路稳定性不存在问题的话，nand flash...
ecc简介 ??由于nand flash的工艺不能保证nand的Memory Array在其生命周期中保持性能的可靠，因此，在nand的生产中及使用过程中会产生坏块。为了检测数据的可靠性，在应用nand flash的系统中一般都会采用一定的坏区管理策略，而管理坏区的前提是能比较可靠的进行坏区检测。 ??如果操作时序和电路稳定性不存在问题的话，nand flash出错的时候一般不会造成整个Block或是Page不能读取或是全部出错，而是整个Page（例如512Bytes）中只有...
/* *By Neil Chiao ( [email=neilchiao@163.com]neilchiao at gmail.com[/email] ) *转载请注明出处： neilengineer.cublog.cn */ ecc（Error Checking and Correcting）简介 由于nand flash的工艺不能保证nand的Memory Array在其生命周期中保持性能的可靠，因此，在nand的生产中及使用过程中会产生坏块。为了检测数据的可靠性，在应用nand flash的系统中一般都会采用一定的坏区管理策略，而管理坏区的前提是能比较...
nand flash ecc校验原理与实现 作者：龙林 EMAIL：dragon_hn@sohu.com WEB：www.dragon-2008.com ecc简介 ??由于nand flash的工艺不能保证nand的Memory Array在其生命周期中保持性能的可靠，因此，在nand的生产中及使用过程中会产生坏块。为了检测数据的可靠性，在应用nand flash的系统中一般都会采用一定的坏区管理策略，而管理坏区的前提是能比较可靠的进行坏区检测。 ??如果操作时序和电路稳定性不存在问题的话，nand flash出...
